Circuiti integrati di memoria

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CY62157DV30LL-55BVXAT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)	Disponibile3.222
CY62157DV30LL-55BVXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)	Disponibile6.264
CY62157DV30LL-55ZSXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile3.726
CY62157ELL-45ZSXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile22.085
CY62157ELL-45ZSXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile3.330
CY62157ELL-55BVXE Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)	Disponibile7.758
CY62157ELL-55BVXET Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)	Disponibile4.320
CY62157ELL-55ZSXE Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile8.100
CY62157ELL-55ZSXET Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile2.610
CY62157ESL-45ZSXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile6.828
CY62157ESL-45ZSXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile3.402
CY62157EV18LL-45BVXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.25V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)	Disponibile6.300
CY62157EV18LL-45BVXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.25V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)	Disponibile5.688
CY62157EV18LL-55BVXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.25V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)	Disponibile17.886
CY62157EV18LL-55BVXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.25V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)	Disponibile6.642
CY62157EV30LL-45BVI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)	Disponibile17.124
CY62157EV30LL-45BVIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)	Disponibile2.700
CY62157EV30LL-45BVXA Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)	Disponibile21.900
CY62157EV30LL-45BVXAT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)	Disponibile3.546
CY62157EV30LL-45BVXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)	Disponibile5.255
CY62157EV30LL-45BVXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)	Disponibile6.407
CY62157EV30LL-45ZSXA Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile27.666
CY62157EV30LL-45ZSXAT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile8.892
CY62157EV30LL-45ZSXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile22.285
CY62157EV30LL-45ZSXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile5.840
CY62157EV30LL-45ZXA Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP I Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I	Disponibile6.984
CY62157EV30LL-45ZXAT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP I Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I	Disponibile4.338
CY62157EV30LL-45ZXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP I Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I	Disponibile2.600
CY62157EV30LL-45ZXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP I Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I	Disponibile3.114
CY62157EV30LL-55ZSXE Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile6.432

CY62157DV30LL-55BVXAT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

Disponibile3.222

CY62157DV30LL-55BVXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

Disponibile6.264

CY62157DV30LL-55ZSXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile3.726

CY62157ELL-45ZSXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile22.085

CY62157ELL-45ZSXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile3.330

CY62157ELL-55BVXE

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

Disponibile7.758

CY62157ELL-55BVXET

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

Disponibile4.320

CY62157ELL-55ZSXE

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile8.100

CY62157ELL-55ZSXET

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile2.610

CY62157ESL-45ZSXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile6.828

CY62157ESL-45ZSXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile3.402

CY62157EV18LL-45BVXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.25V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

Disponibile6.300

CY62157EV18LL-45BVXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.25V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

Disponibile5.688

CY62157EV18LL-55BVXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.25V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

Disponibile17.886

CY62157EV18LL-55BVXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.25V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

Disponibile6.642

CY62157EV30LL-45BVI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

Disponibile17.124

CY62157EV30LL-45BVIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

Disponibile2.700

CY62157EV30LL-45BVXA

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

Disponibile21.900

CY62157EV30LL-45BVXAT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

Disponibile3.546

CY62157EV30LL-45BVXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

Disponibile5.255

CY62157EV30LL-45BVXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

Disponibile6.407

CY62157EV30LL-45ZSXA

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile27.666

CY62157EV30LL-45ZSXAT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile8.892

CY62157EV30LL-45ZSXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile22.285

CY62157EV30LL-45ZSXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile5.840

CY62157EV30LL-45ZXA

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP I

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I

Disponibile6.984

CY62157EV30LL-45ZXAT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP I

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I

Disponibile4.338

CY62157EV30LL-45ZXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP I

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I

Disponibile2.600

CY62157EV30LL-45ZXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP I

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I

Disponibile3.114

CY62157EV30LL-55ZSXE

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile6.432

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