Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
CY62148ELL-45ZSXA Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II	Disponibile3.960
CY62148ELL-45ZSXAT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II	Disponibile3.598
CY62148ELL-45ZSXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II	Disponibile39.218
CY62148ELL-45ZSXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II	Disponibile413
CY62148ELL-55SXA Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32SOIC Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOIC	Disponibile2.574
CY62148ELL-55SXAT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32SOIC Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOIC	Disponibile5.310
CY62148ELL-55SXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32SOIC Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOIC	Disponibile6.365
CY62148ELL-55SXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32SOIC Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOIC	Disponibile44.307
CY62148ESL-55ZAXA Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP	Disponibile6.456
CY62148ESL-55ZAXAT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP	Disponibile6.228
CY62148ESL-55ZAXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP	Disponibile43
CY62148ESL-55ZAXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP	Disponibile51.186
CY62148EV30LL-45BVI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 36VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 36-VFBGA (6x8)	Disponibile8.838
CY62148EV30LL-45BVIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 36VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 36-VFBGA (6x8)	Disponibile6.444
CY62148EV30LL-45BVXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 36VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 36-VFBGA (6x8)	Disponibile7.656
CY62148EV30LL-45BVXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 36VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 36-VFBGA (6x8)	Disponibile3.258
CY62148EV30LL-45ZSXA Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II	Disponibile5.580
CY62148EV30LL-45ZSXAT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II	Disponibile6.840
CY62148EV30LL-45ZSXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II	Disponibile24.077
CY62148EV30LL-45ZSXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II	Disponibile6.066
CY62148EV30LL-55SXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32SOIC Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOIC	Disponibile1.840
CY62148EV30LL-55SXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32SOIC Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOIC	Disponibile7.002
CY62148EV30LL-55ZSXE Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II	Disponibile5.256
CY62148EV30LL-55ZSXET Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II	Disponibile8.226
CY62148G18-55ZSXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.2V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II	Disponibile2.988
CY62148G18-55ZSXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.2V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II	Disponibile6.570
CY62148G30-45SXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32SOIC Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOIC	Disponibile7.020
CY62148G30-45SXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32SOIC Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOIC	Disponibile4.068
CY62148G30-45ZSXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II	Disponibile5.832
CY62148G30-45ZSXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: MoBL® Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II	Disponibile6.012

CY62148ELL-45ZSXA

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II

Disponibile3.960

CY62148ELL-45ZSXAT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II

Disponibile3.598

CY62148ELL-45ZSXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II

Disponibile39.218

CY62148ELL-45ZSXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II

Disponibile413

CY62148ELL-55SXA

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32SOIC

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOIC

Disponibile2.574

CY62148ELL-55SXAT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32SOIC

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOIC

Disponibile5.310

CY62148ELL-55SXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32SOIC

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOIC

Disponibile6.365

CY62148ELL-55SXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32SOIC

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOIC

Disponibile44.307

CY62148ESL-55ZAXA

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP

Disponibile6.456

CY62148ESL-55ZAXAT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP

Disponibile6.228

CY62148ESL-55ZAXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP

Disponibile43

CY62148ESL-55ZAXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP

Disponibile51.186

CY62148EV30LL-45BVI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-VFBGA (6x8)

Disponibile8.838

CY62148EV30LL-45BVIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-VFBGA (6x8)

Disponibile6.444

CY62148EV30LL-45BVXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-VFBGA (6x8)

Disponibile7.656

CY62148EV30LL-45BVXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-VFBGA (6x8)

Disponibile3.258

CY62148EV30LL-45ZSXA

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II

Disponibile5.580

CY62148EV30LL-45ZSXAT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II

Disponibile6.840

CY62148EV30LL-45ZSXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II

Disponibile24.077

CY62148EV30LL-45ZSXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II

Disponibile6.066

CY62148EV30LL-55SXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32SOIC

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOIC

Disponibile1.840

CY62148EV30LL-55SXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32SOIC

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOIC

Disponibile7.002

CY62148EV30LL-55ZSXE

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II

Disponibile5.256

CY62148EV30LL-55ZSXET

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II

Disponibile8.226

CY62148G18-55ZSXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.2V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II

Disponibile2.988

CY62148G18-55ZSXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.2V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II

Disponibile6.570

CY62148G30-45SXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32SOIC

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOIC

Disponibile7.020

CY62148G30-45SXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32SOIC

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOIC

Disponibile4.068

CY62148G30-45ZSXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II

Disponibile5.832

CY62148G30-45ZSXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: MoBL®
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II

Disponibile6.012

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