Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 2Tb (256G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 152-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 152-LBGA (14x18)	Disponibile8.136
MT29E2T08CUHBBM4-3:B Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 2Tb (256G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile134
MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 2Tb (256G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.876
MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 2Tb (256G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.547
MT29E384G08EBHBBJ4-3:B Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 384Gb (48G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: 132-VBGA (12x18)	Disponibile2.142
MT29E384G08EBHBBJ4-3:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 384Gb (48G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: 132-VBGA (12x18)	Disponibile8.586
MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 384Gb (48G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: 132-VBGA (12x18)	Disponibile5.040
MT29E3T08EQHBBG2-3:B Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 3Tb (384G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 272-LFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.362
MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 3Tb (384G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 272-LFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.376
MT29E3T08EUHBBM4-3:B Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 3Tb (384G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.411
MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 3Tb (384G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.258
MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 3Tb (384G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.956
MT29E4T08CTHBBM5-3:B Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 4Tb (512G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.712
MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 4Tb (512G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.878
MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 4Tb (512G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.760
MT29E4T08EYHBBG9-3:B Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 4Tb (512G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.474
MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 4Tb (512G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.858
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: 132-VBGA (12x18)	Disponibile581
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: 132-VBGA (12x18)	Disponibile5.868
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: 132-VBGA (12x18)	Disponibile4.428
MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: 152-TBGA	Disponibile5.814
MT29E512G08CKCCBH7-6:C Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 152-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 152-TBGA	Disponibile7.920
MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 152-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 152-TBGA	Disponibile3.564
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.978
MT29E512G08CMCCBH7-6:C Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: 152-TBGA	Disponibile7.290
MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: 152-TBGA	Disponibile8.046
MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: 152-TBGA	Disponibile5.382
MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 132-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 132-LBGA (12x18)	Disponibile3.456
MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 132-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 132-LBGA (12x18)	Disponibile5.616
MT29E512G08CUCDBJ6-6:D Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: 132-LBGA (12x18)	Disponibile3.564

MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 2Tb (256G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 152-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 152-LBGA (14x18)

Disponibile8.136

MT29E2T08CUHBBM4-3:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 2Tb (256G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile134

MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 2Tb (256G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile6.876

MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 2Tb (256G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile2.547

MT29E384G08EBHBBJ4-3:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 384Gb (48G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: 132-VBGA (12x18)

Disponibile2.142

MT29E384G08EBHBBJ4-3:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 384Gb (48G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: 132-VBGA (12x18)

Disponibile8.586

MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 384Gb (48G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: 132-VBGA (12x18)

Disponibile5.040

MT29E3T08EQHBBG2-3:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 3Tb (384G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 272-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile7.362

MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 3Tb (384G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 272-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile2.376

MT29E3T08EUHBBM4-3:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 3Tb (384G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile2.411

MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 3Tb (384G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile3.258

MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 3Tb (384G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile7.956

MT29E4T08CTHBBM5-3:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 4Tb (512G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile8.712

MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 4Tb (512G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile4.878

MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 4Tb (512G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile5.760

MT29E4T08EYHBBG9-3:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 4Tb (512G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile3.474

MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 4Tb (512G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile6.858

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: 132-VBGA (12x18)

Disponibile581

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: 132-VBGA (12x18)

Disponibile5.868

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: 132-VBGA (12x18)

Disponibile4.428

MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: 152-TBGA

Disponibile5.814

MT29E512G08CKCCBH7-6:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 152-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 152-TBGA

Disponibile7.920

MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 152-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 152-TBGA

Disponibile3.564

MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile3.978

MT29E512G08CMCCBH7-6:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: 152-TBGA

Disponibile7.290

MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: 152-TBGA

Disponibile8.046

MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: 152-TBGA

Disponibile5.382

MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 132-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 132-LBGA (12x18)

Disponibile3.456

MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 132-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 132-LBGA (12x18)

Disponibile5.616

MT29E512G08CUCDBJ6-6:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: 132-LBGA (12x18)

Disponibile3.564

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