MT29E3T08EUHBBM4-3:B
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| Numero parte | MT29E3T08EUHBBM4-3:B | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | MT29E3T08EUHBBM4-3-B | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ | ||||||||||||||||||
| Produttore | Micron Technology Inc. | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 2.411 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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MT29E3T08EUHBBM4-3:B Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT29E3T08EUHBBM4-3:B |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT29E3T08EUHBBM4-3:B Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Dimensione della memoria | 3Tb (384G x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 333MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 2.5V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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