Circuiti integrati di memoria

MR4A08BYS35

Everspin Technologies Inc.

Memoria

IC RAM 16M PARALLEL 44TSOP2

• Produttore: Everspin Technologies Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: RAM
• Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns
• Tempo di accesso: 35ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP2

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MR4A08BYS35R

Everspin Technologies Inc.

Memoria

IC RAM 16M PARALLEL 44TSOP2

• Produttore: Everspin Technologies Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: RAM
• Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns
• Tempo di accesso: 35ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP2

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MR4A16BCMA35

Everspin Technologies Inc.

Memoria

IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Everspin Technologies Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: RAM
• Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns
• Tempo di accesso: 35ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-LFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (8x8)

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MR4A16BCMA35R

Everspin Technologies Inc.

Memoria

IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Everspin Technologies Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: RAM
• Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns
• Tempo di accesso: 35ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-LFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (10x10)

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MR4A16BCYS35

Everspin Technologies Inc.

Memoria

IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2

• Produttore: Everspin Technologies Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: RAM
• Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns
• Tempo di accesso: 35ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP2

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MR4A16BCYS35R

Everspin Technologies Inc.

Memoria

IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2

• Produttore: Everspin Technologies Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: RAM
• Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns
• Tempo di accesso: 35ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP2

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MR4A16BMA35

Everspin Technologies Inc.

Memoria

IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Everspin Technologies Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: RAM
• Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns
• Tempo di accesso: 35ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-LFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (10x10)

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MR4A16BMA35R

Everspin Technologies Inc.

Memoria

IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Everspin Technologies Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: RAM
• Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns
• Tempo di accesso: 35ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-LFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (10x10)

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MR4A16BYS35

Everspin Technologies Inc.

Memoria

IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2

• Produttore: Everspin Technologies Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: RAM
• Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns
• Tempo di accesso: 35ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP2

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MR4A16BYS35R

Everspin Technologies Inc.

Memoria

IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2

• Produttore: Everspin Technologies Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: RAM
• Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns
• Tempo di accesso: 35ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP2

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MSM5117400F-60J3-7

Rohm Semiconductor

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 26SOJ

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 16Mb (4M x 4)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 110ns
• Tempo di accesso: 30ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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MSM5117400F-60J3FAR1

Rohm Semiconductor

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 16Mb (4M x 4)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 110ns
• Tempo di accesso: 30ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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MSM5117400F-60T3DR1

Rohm Semiconductor

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 16Mb (4M x 4)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 110ns
• Tempo di accesso: 30ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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MSM5117400F-60T3-K-7

Rohm Semiconductor

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL KBU

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 16Mb (4M x 4)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 110ns
• Tempo di accesso: 30ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 26-SMD
• Pacchetto dispositivo fornitore: KBU

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MSM5117400F-60TDR1L

Rohm Semiconductor

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 16Mb (4M x 4)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 110ns
• Tempo di accesso: 30ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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MSM5117405F-60J3-7

Rohm Semiconductor

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 26SOJ

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 16Mb (4M x 4)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 30ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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MSM5117405F-60T-DKX

Rohm Semiconductor

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 26TSOP

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 16Mb (4M x 4)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 30ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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MSM5118160F-60J3-7

Rohm Semiconductor

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 30ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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MSM5118160F-60T3K-MT

Rohm Semiconductor

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 30ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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MSM5118165F-60J3-7

Rohm Semiconductor

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 30ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ

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MSM5118165F-60T3K-MT

Rohm Semiconductor

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 30ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 50-TSOP II

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MSM51V17400F-60TDKX

Rohm Semiconductor

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 26TSOP

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 16Mb (4M x 4)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 110ns
• Tempo di accesso: 30ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: 26-TSOP

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MSM51V17405F-60T3-K

Rohm Semiconductor

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 26TSOP

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 16Mb (4M x 4)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 104ns
• Tempo di accesso: 30ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: 26-TSOP

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MSM51V18160F-60T3-K7

Rohm Semiconductor

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 30ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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MSM51V18165F-60J3-7

Rohm Semiconductor

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 104ns
• Tempo di accesso: 30ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: 42-SOJ

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MSM51V18165F-60T3

Rohm Semiconductor

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: DRAM
• Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 104ns
• Tempo di accesso: 30ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads
• Pacchetto dispositivo fornitore: 50-TSOP

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MSM5412222B-25TK-MTL

Rohm Semiconductor

Memoria

IC FRAM 3M PARALLEL 44TSOP

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FRAM
• Tecnologia: FRAM (Ferroelectric RAM)
• Dimensione della memoria: 3Mb (256K x 12)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
• Tempo di accesso: 23ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP

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MSM56V16160K8T3K

Rohm Semiconductor

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 16Mb (512K x 16 x 2)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 125MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
• Tempo di accesso: 6ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 50-TSOP II

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MSP14LV160-E1-GJ-001

Cypress Semiconductor

Memoria

IC MEMORY FLASH NOR

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: *
• Tipo di memoria: -
• Formato memoria: -
• Tecnologia: -
• Dimensione della memoria: -
• Interfaccia di memoria: -
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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MSP14LV160-E1-GK-001

Cypress Semiconductor

Memoria

IC MEMORY FLASH NOR

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: *
• Tipo di memoria: -
• Formato memoria: -
• Tecnologia: -
• Dimensione della memoria: -
• Interfaccia di memoria: -
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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