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MSM5117400F-60J3-7

MSM5117400F-60J3-7

Solo per riferimento

Numero parte MSM5117400F-60J3-7
PNEDA Part # MSM5117400F-60J3-7
Descrizione IC DRAM 16M PARALLEL 26SOJ
Produttore Rohm Semiconductor
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Disponibile 6.570
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MSM5117400F-60J3-7 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMSM5117400F-60J3-7
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MSM5117400F-60J3-7, MSM5117400F-60J3-7 Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 252,7 KB)
PDFMSM5117400F-60J3-7 Datasheet Copertura
MSM5117400F-60J3-7 Datasheet Pagina 2 MSM5117400F-60J3-7 Datasheet Pagina 3 MSM5117400F-60J3-7 Datasheet Pagina 4 MSM5117400F-60J3-7 Datasheet Pagina 5 MSM5117400F-60J3-7 Datasheet Pagina 6 MSM5117400F-60J3-7 Datasheet Pagina 7 MSM5117400F-60J3-7 Datasheet Pagina 8 MSM5117400F-60J3-7 Datasheet Pagina 9 MSM5117400F-60J3-7 Datasheet Pagina 10 MSM5117400F-60J3-7 Datasheet Pagina 11

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MSM5117400F-60J3-7 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaDRAM
Dimensione della memoria16Mb (4M x 4)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina110ns
Tempo di accesso30ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Produttore

Micron Technology Inc.

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

4Gb (256M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1.6GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

19ns

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.26V

Temperatura di esercizio

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8ms, 2.8ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-T-PBGA (6x8)

7006L15PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Microchip Technology

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

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