Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
EGL34FHE3/83 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 500mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AA (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AA (GL34) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile7.830
EGL34FHE3/98 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 500mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AA (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AA (GL34) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile2.592
EGL34FHE3_A/H Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 500mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AA (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AA (GL34) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile6.426
EGL34FHE3_A/I Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 500mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AA (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AA (GL34) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile5.166
EGL34G/51 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 500mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AA (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AA (GL34) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile7.722
EGL34G-E3/83 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 500mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AA (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AA (GL34) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile6.192
EGL34G-E3/98 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 500mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AA (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AA (GL34) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile55.147
EGL34GHE3/83 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 500mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AA (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AA (GL34) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile6.174
EGL34GHE3/98 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 500mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AA (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AA (GL34) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile3.618
EGL34GHE3_A/H Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 500mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AA (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AA (GL34) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile5.760
EGL34GHE3_A/I Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 500mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AA (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AA (GL34) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile2.574
EGL41A-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile5.760
EGL41A-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile7.650
EGL41AHE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile3.978
EGL41AHE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile4.824
EGL41AHE3_A/H Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile5.184
EGL41AHE3_A/I Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile8.982
EGL41B/1 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile6.372
EGL41B-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile17.994
EGL41B-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile2.322
EGL41BHE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile3.348
EGL41BHE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile2.862
EGL41BHE3_A/H Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile8.622
EGL41BHE3_A/I Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile2.358
EGL41C-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile17.466
EGL41C-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile7.164
EGL41CHE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile6.210
EGL41CHE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile6.300
EGL41CHE3_A/H Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile6.786
EGL41CHE3_A/I Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile3.418

EGL34FHE3/83

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 500mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AA (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AA (GL34)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile7.830

EGL34FHE3/98

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 500mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AA (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AA (GL34)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile2.592

EGL34FHE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 500mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AA (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AA (GL34)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile6.426

EGL34FHE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 500mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AA (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AA (GL34)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile5.166

EGL34G/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 500mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AA (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AA (GL34)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile7.722

EGL34G-E3/83

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 500mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AA (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AA (GL34)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile6.192

EGL34G-E3/98

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 500mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AA (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AA (GL34)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile55.147

EGL34GHE3/83

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 500mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AA (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AA (GL34)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile6.174

EGL34GHE3/98

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 500mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AA (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AA (GL34)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile3.618

EGL34GHE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 500mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AA (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AA (GL34)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile5.760

EGL34GHE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 500mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AA (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AA (GL34)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile2.574

EGL41A-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile5.760

EGL41A-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile7.650

EGL41AHE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile3.978

EGL41AHE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile4.824

EGL41AHE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile5.184

EGL41AHE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile8.982

EGL41B/1

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile6.372

EGL41B-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile17.994

EGL41B-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile2.322

EGL41BHE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile3.348

EGL41BHE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile2.862

EGL41BHE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile8.622

EGL41BHE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile2.358

EGL41C-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile17.466

EGL41C-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile7.164

EGL41CHE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile6.210

EGL41CHE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile6.300

EGL41CHE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile6.786

EGL41CHE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile3.418

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