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Diodi e raddrizzatori

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EGF1A-E3/67A
EGF1A-E3/67A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: SUPERECTIFIER®
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
  • Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214BA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA (GF1)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Disponibile51.162
EGF1AHE3/5CA
EGF1AHE3/5CA

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: SUPERECTIFIER®
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
  • Capacità @ Vr, F: -
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214BA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA (GF1)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Disponibile4.896
EGF1AHE3/67A
EGF1AHE3/67A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: SUPERECTIFIER®
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
  • Capacità @ Vr, F: -
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214BA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA (GF1)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Disponibile7.164
EGF1AHE3_A/H
EGF1AHE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
  • Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214BA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA (GF1)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Disponibile5.976
EGF1AHE3_A/I
EGF1AHE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
  • Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214BA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA (GF1)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Disponibile3.508
EGF1B
EGF1B

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 100V
  • Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SMA (DO-214AC)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Disponibile54.066
EGF1B-1HE3/5CA
EGF1B-1HE3/5CA

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
  • Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214BA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA (GF1)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Disponibile2.988
EGF1B-1HE3/67A
EGF1B-1HE3/67A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
  • Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214BA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA (GF1)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Disponibile7.326
EGF1B-E3/5CA
EGF1B-E3/5CA

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: SUPERECTIFIER®
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
  • Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214BA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA (GF1)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Disponibile6.534
EGF1B-E3/67A
EGF1B-E3/67A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: SUPERECTIFIER®
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
  • Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214BA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA (GF1)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Disponibile31.038
EGF1BHE3/5CA
EGF1BHE3/5CA

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: SUPERECTIFIER®
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
  • Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214BA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA (GF1)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Disponibile5.526
EGF1BHE3/67A
EGF1BHE3/67A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: SUPERECTIFIER®
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
  • Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214BA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA (GF1)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Disponibile7.002
EGF1BHE3_A/H
EGF1BHE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 100V
  • Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214BA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA (GF1)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Disponibile8.154
EGF1BHE3_A/I
EGF1BHE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 100V
  • Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214BA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA (GF1)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Disponibile8.874
EGF1C
EGF1C

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 1A SMA

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 150V
  • Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SMA (DO-214AC)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Disponibile5.866
EGF1C-E3/5CA
EGF1C-E3/5CA

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: SUPERECTIFIER®
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
  • Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214BA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA (GF1)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Disponibile6.948
EGF1C-E3/67A
EGF1C-E3/67A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: SUPERECTIFIER®
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
  • Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214BA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA (GF1)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Disponibile6.426
EGF1CHE3/5CA
EGF1CHE3/5CA

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: SUPERECTIFIER®
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
  • Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214BA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA (GF1)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Disponibile3.690
EGF1CHE3/67A
EGF1CHE3/67A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: SUPERECTIFIER®
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
  • Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214BA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA (GF1)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Disponibile8.856
EGF1CHE3_A/H
EGF1CHE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V
  • Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214BA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA (GF1)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Disponibile5.472
EGF1CHE3_A/I
EGF1CHE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V
  • Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214BA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA (GF1)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Disponibile3.618
EGF1D
EGF1D

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
  • Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SMA (DO-214AC)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Disponibile2.502
EGF1D-2HE3/67A
EGF1D-2HE3/67A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
  • Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214BA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA (GF1)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Disponibile6.642
EGF1D-E3/5CA
EGF1D-E3/5CA

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: SUPERECTIFIER®
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
  • Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214BA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA (GF1)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Disponibile7.812
EGF1D-E3/67A
EGF1D-E3/67A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: SUPERECTIFIER®
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
  • Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214BA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA (GF1)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Disponibile58.182
EGF1DHE3/5CA
EGF1DHE3/5CA

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: SUPERECTIFIER®
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
  • Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214BA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA (GF1)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Disponibile3.636
EGF1DHE3/67A
EGF1DHE3/67A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: SUPERECTIFIER®
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
  • Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214BA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA (GF1)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Disponibile4.104
EGF1DHE3_A/H
EGF1DHE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 200V
  • Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214BA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA (GF1)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Disponibile4.572
EGF1DHE3_A/I
EGF1DHE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 200V
  • Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214BA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA (GF1)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Disponibile4.626
EGF1T-E3/5CA
EGF1T-E3/5CA

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: SUPERECTIFIER®
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1300V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1300V
  • Capacità @ Vr, F: -
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-214BA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA (GF1)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Disponibile7.344