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Diodi e raddrizzatori

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CUS15I30A(TE85L,QM
CUS15I30A(TE85L,QM

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A US-FLAT

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Schottky
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1.5A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 460mV @ 1.5A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 60µA @ 30V
  • Capacità @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
  • Pacchetto dispositivo fornitore: US-FLAT (1.25x2.5)
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)
Disponibile7.326
CUS15S30,H3F
CUS15S30,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Schottky
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1.5A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 400mV @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 30V
  • Capacità @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
  • Pacchetto dispositivo fornitore: USC
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)
Disponibile27.228
CUS15S40,H3F
CUS15S40,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Schottky
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1.5A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 1A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 40V
  • Capacità @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
  • Pacchetto dispositivo fornitore: USC
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)
Disponibile7.704
CUS357,H3F
CUS357,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

SMALL SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Schottky
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 100mA
  • Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 40V
  • Capacità @ Vr, F: 11pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
  • Pacchetto dispositivo fornitore: USC
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)
Disponibile4.788
CUS520,H3F
CUS520,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Schottky
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 280mV @ 10mA
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 30V
  • Capacità @ Vr, F: 17pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
  • Pacchetto dispositivo fornitore: USC
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)
Disponibile2.283.354
CUS521,H3F
CUS521,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA USC

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Schottky
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 200mA
  • Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 30µA @ 30V
  • Capacità @ Vr, F: 26pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
  • Pacchetto dispositivo fornitore: USC
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)
Disponibile6.318
CUS551V30,H3F
CUS551V30,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Schottky
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 500mA
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 20V
  • Capacità @ Vr, F: -
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
  • Pacchetto dispositivo fornitore: USC
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)
Disponibile21.816
CVFD20065A
CVFD20065A

Cree/Wolfspeed

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHKY SIC 650V 20A TO-220

  • Produttore: Cree/Wolfspeed
  • Serie: Z-Rec®
  • Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 57A (DC)
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 20A
  • Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 80µA @ 650V
  • Capacità @ Vr, F: 1100pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-2
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Disponibile2.833
CZSH5-40 TR
CZSH5-40 TR

Central Semiconductor Corp

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 40V 5A SOT223

  • Produttore: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Schottky
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 5A
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 40V
  • Capacità @ Vr, F: -
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C
Disponibile24.378
D1030N22TPRXOSA1
D1030N22TPRXOSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE BG-D5726K-1

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 2200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1030A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.11V @ 1000A
  • Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40mA @ 2200V
  • Capacità @ Vr, F: -
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-200AB, B-PUK
  • Pacchetto dispositivo fornitore: BG-D5726K-1
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 160°C (Max)
Disponibile6.966
D1030N22TXPSA1
D1030N22TXPSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 2.2KV 1030A

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 2200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1030A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.11V @ 10000A
  • Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40mA @ 2200V
  • Capacità @ Vr, F: -
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-200AB, B-PUK
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 160°C
Disponibile4.950
D1030N24TXPSA1
D1030N24TXPSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 2.4KV 1030A

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 2400V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1030A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.11V @ 10000A
  • Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40mA @ 2400V
  • Capacità @ Vr, F: -
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-200AB, B-PUK
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 160°C
Disponibile7.848
D1030N26TXPSA1
D1030N26TXPSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 2.6KV 1030A

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 2600V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1030A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.11V @ 10000A
  • Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40mA @ 2600V
  • Capacità @ Vr, F: -
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-200AB, B-PUK
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 160°C
Disponibile6.462
D1031SH45TXPSA1
D1031SH45TXPSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 4.5KV 1450A

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 4500V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1450A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 4.2V @ 2500A
  • Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100mA @ 4500V
  • Capacità @ Vr, F: -
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-200AD
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 0°C ~ 140°C
Disponibile2.538
D1050N12TXPSA1
D1050N12TXPSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 1050A

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1050A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1000A
  • Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 60mA @ 1200V
  • Capacità @ Vr, F: -
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-200AB, B-PUK
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C
Disponibile5.580
D1050N14TXPSA1
D1050N14TXPSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.4KV 1050A

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1400V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1050A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1000A
  • Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 60mA @ 1400V
  • Capacità @ Vr, F: -
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-200AB, B-PUK
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C
Disponibile4.698
D1050N16TXPSA1
D1050N16TXPSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.6KV 1050A

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1600V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1050A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1000A
  • Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 60mA @ 1600V
  • Capacità @ Vr, F: -
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-200AB, B-PUK
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C
Disponibile5.508
D1050N18TXPSA1
D1050N18TXPSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.8KV 1050A

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1800V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1050A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1000A
  • Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 60mA @ 1800V
  • Capacità @ Vr, F: -
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-200AB, B-PUK
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C
Disponibile8.964
D1131SH65TXPSA1
D1131SH65TXPSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 6.5KV 1100A

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 6500V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1100A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 5.6V @ 2500A
  • Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 150mA @ 6500V
  • Capacità @ Vr, F: -
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-200AE
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 0°C ~ 140°C
Disponibile6.444
D121K18BXPSA1
D121K18BXPSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.8KV 210A

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1800V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 210A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
  • Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 20mA @ 1800V
  • Capacità @ Vr, F: -
  • Tipo di montaggio: Stud Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-205AA, DO-8, Stud
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C
Disponibile3.924
D121K20BXPSA1
D121K20BXPSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 2KV 210A

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 2000V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 210A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
  • Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 20mA @ 2000V
  • Capacità @ Vr, F: -
  • Tipo di montaggio: Stud Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-205AA, DO-8, Stud
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C
Disponibile4.338
D121N12BXPSA1
D121N12BXPSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 230A

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 230A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
  • Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 20mA @ 1200V
  • Capacità @ Vr, F: -
  • Tipo di montaggio: Stud Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-205AA, DO-8, Stud
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C
Disponibile7.758
D121N16BXPSA1
D121N16BXPSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.6KV 230A

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1600V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 230A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
  • Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 20mA @ 1600V
  • Capacità @ Vr, F: -
  • Tipo di montaggio: Stud Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-205AA, DO-8, Stud
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C
Disponibile8.370
D121N18BXPSA1
D121N18BXPSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.8KV 230A

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1800V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 230A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
  • Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 20mA @ 1800V
  • Capacità @ Vr, F: -
  • Tipo di montaggio: Stud Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-205AA, DO-8, Stud
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C
Disponibile8.712
D121N20BXPSA1
D121N20BXPSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 2KV 230A

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 2000V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 230A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
  • Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 20mA @ 2000V
  • Capacità @ Vr, F: -
  • Tipo di montaggio: Stud Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-205AA, DO-8, Stud
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C
Disponibile4.950
D1230N12TXPSA1
D1230N12TXPSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 1230A

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1230A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.063V @ 800A
  • Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50mA @ 1200V
  • Capacità @ Vr, F: -
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-200AA, A-PUK
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C
Disponibile5.292
D1230N14TXPSA1
D1230N14TXPSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.4KV 1230A

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1400V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1230A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.063V @ 800A
  • Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50mA @ 1400V
  • Capacità @ Vr, F: -
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-200AA, A-PUK
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C
Disponibile8.982
D1230N16TXPSA1
D1230N16TXPSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.6KV 1230A

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1600V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1230A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.063V @ 800A
  • Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50mA @ 1600V
  • Capacità @ Vr, F: -
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-200AA, A-PUK
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C
Disponibile5.706
D1230N18TXPSA1
D1230N18TXPSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.8KV 1230A

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1800V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1230A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.063V @ 800A
  • Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50mA @ 1800V
  • Capacità @ Vr, F: -
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-200AA, A-PUK
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 180°C
Disponibile7.650
D1251S45TXPSA1
D1251S45TXPSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 4.5KV 1530A

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 4500V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1530A
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 2500A
  • Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 80mA @ 4500V
  • Capacità @ Vr, F: -
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto / Custodia: DO-200AC, K-PUK
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 140°C
Disponibile7.902