Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
CURM107-G Comchip Technology	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1KV 1A MINISMA Produttore: Comchip Technology Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1000V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123T Pacchetto dispositivo fornitore: Mini SMA/SOD-123 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.416
CURMT101-HF Comchip Technology	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A SOD123H Produttore: Comchip Technology Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123H Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123H Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.902
CURMT102-HF Comchip Technology	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 1A SOD123H Produttore: Comchip Technology Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123H Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123H Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.680
CURMT103-HF Comchip Technology	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123H Produttore: Comchip Technology Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123H Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123H Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile49.074
CURMT104-HF Comchip Technology	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123H Produttore: Comchip Technology Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123H Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123H Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.680
CURMT105-HF Comchip Technology	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123H Produttore: Comchip Technology Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123H Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123H Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile6.660
CURMT106-HF Comchip Technology	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123H Produttore: Comchip Technology Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 800V Capacità @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123H Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123H Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.712
CURMT107-HF Comchip Technology	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123H Produttore: Comchip Technology Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1000V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123H Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123H Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.274
CURN101-HF Comchip Technology	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1A 1206 Produttore: Comchip Technology Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 2-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 1206/SOD-123 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile7.542
CURN102-HF Comchip Technology	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A 1206 Produttore: Comchip Technology Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 2-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 1206/SOD-123 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile7.884
CURN103-HF Comchip Technology	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 1A 1206 Produttore: Comchip Technology Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 2-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 1206/SOD-123 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile3.456
CURN104-HF Comchip Technology	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 800V 1A 1206 Produttore: Comchip Technology Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 2-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 1206/SOD-123 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile3.582
CURN105-HF Comchip Technology	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1KV 1A 1206 Produttore: Comchip Technology Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 2-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 1206/SOD-123 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile3.618
CUS01(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 30V 1A USFLAT Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 390mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1.5mA @ 30V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore: US-FLAT (1.25x2.5) Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 125°C	Disponibile4.518
CUS02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 30V 1A USFLAT Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 30V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore: US-FLAT (1.25x2.5) Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C	Disponibile2.736
CUS03(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 40V 700MA US-FLAT Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media Rettificata (Io): 700mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 700mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 40V Capacità @ Vr, F: 45pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore: US-FLAT (1.25x2.5) Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C	Disponibile2.448
CUS04(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 60V 700MA US-FLAT Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V Corrente - Media Rettificata (Io): 700mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 700mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 60V Capacità @ Vr, F: 38pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore: US-FLAT (1.25x2.5) Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C	Disponibile4.248
CUS05F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 500mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 30V Capacità @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore: USC Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile53.562
CUS05F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 40V 500MA USC Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 810mV @ 500mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 15µA @ 40V Capacità @ Vr, F: 28pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore: USC Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile8.928
CUS05S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 340mV @ 100mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 150µA @ 10V Capacità @ Vr, F: 55pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore: USC Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)	Disponibile5.346
CUS05S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 40V 500MA USC Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 350mV @ 100mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 30µA @ 10V Capacità @ Vr, F: 42pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore: USC Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)	Disponibile122.724
CUS05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 20V 1A US-FLAT Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 700mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V Capacità @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore: US-FLAT (1.25x2.5) Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 125°C	Disponibile3.186
CUS06(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 20V 1A US-FLAT Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 700mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 30µA @ 20V Capacità @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore: US-FLAT (1.25x2.5) Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C	Disponibile2.502
CUS08F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 30V 800MA USC Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media Rettificata (Io): 800mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 220mV @ 10mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 30V Capacità @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore: USC Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)	Disponibile2.502
CUS10F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 30V Capacità @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore: USC Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)	Disponibile3.132
CUS10F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 40V 1A USC Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 670mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 20µA @ 40V Capacità @ Vr, F: 74pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore: USC Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile2.988
CUS10I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 30V 1A US-FLAT Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 390mV @ 700mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 60µA @ 30V Capacità @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore: US-FLAT (1.25x2.5) Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile7.020
CUS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 40V 1A US-FLAT Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 700mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 60µA @ 40V Capacità @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore: US-FLAT (1.25x2.5) Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile2.916
CUS10S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 230mV @ 100mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 30V Capacità @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore: USC Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)	Disponibile987.474
CUS10S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 40V 1A USC Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 400mV @ 500mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 150µA @ 40V Capacità @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore: USC Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)	Disponibile112.284

CURM107-G

Comchip Technology

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 1A MINISMA

Produttore: Comchip Technology
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123T
Pacchetto dispositivo fornitore: Mini SMA/SOD-123
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.416

CURMT101-HF

Comchip Technology

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A SOD123H

Produttore: Comchip Technology
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123H
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123H
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.902

CURMT102-HF

Comchip Technology

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A SOD123H

Produttore: Comchip Technology
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123H
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123H
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.680

CURMT103-HF

Comchip Technology

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123H

Produttore: Comchip Technology
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123H
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123H
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile49.074

CURMT104-HF

Comchip Technology

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123H

Produttore: Comchip Technology
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123H
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123H
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.680

CURMT105-HF

Comchip Technology

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123H

Produttore: Comchip Technology
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123H
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123H
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile6.660

CURMT106-HF

Comchip Technology

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123H

Produttore: Comchip Technology
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 800V
Capacità @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123H
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123H
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.712

CURMT107-HF

Comchip Technology

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123H

Produttore: Comchip Technology
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123H
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123H
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.274

CURN101-HF

Comchip Technology

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A 1206

Produttore: Comchip Technology
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 2-SMD, No Lead
Pacchetto dispositivo fornitore: 1206/SOD-123
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile7.542

CURN102-HF

Comchip Technology

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A 1206

Produttore: Comchip Technology
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 2-SMD, No Lead
Pacchetto dispositivo fornitore: 1206/SOD-123
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile7.884

CURN103-HF

Comchip Technology

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1A 1206

Produttore: Comchip Technology
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 2-SMD, No Lead
Pacchetto dispositivo fornitore: 1206/SOD-123
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile3.456

CURN104-HF

Comchip Technology

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 1A 1206

Produttore: Comchip Technology
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 2-SMD, No Lead
Pacchetto dispositivo fornitore: 1206/SOD-123
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile3.582

CURN105-HF

Comchip Technology

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 1A 1206

Produttore: Comchip Technology
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 2-SMD, No Lead
Pacchetto dispositivo fornitore: 1206/SOD-123
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile3.618

CUS01(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 1A USFLAT

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 390mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1.5mA @ 30V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore: US-FLAT (1.25x2.5)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 125°C

Disponibile4.518

CUS02(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 1A USFLAT

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 30V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore: US-FLAT (1.25x2.5)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

Disponibile2.736

CUS03(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 40V 700MA US-FLAT

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media Rettificata (Io): 700mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 700mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 40V
Capacità @ Vr, F: 45pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore: US-FLAT (1.25x2.5)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

Disponibile2.448

CUS04(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 60V 700MA US-FLAT

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V
Corrente - Media Rettificata (Io): 700mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 700mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 60V
Capacità @ Vr, F: 38pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore: US-FLAT (1.25x2.5)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

Disponibile4.248

CUS05F30,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 500mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 30V
Capacità @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore: USC
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile53.562

CUS05F40,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 40V 500MA USC

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 810mV @ 500mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 15µA @ 40V
Capacità @ Vr, F: 28pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore: USC
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile8.928

CUS05S30,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 340mV @ 100mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 150µA @ 10V
Capacità @ Vr, F: 55pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore: USC
Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)

Disponibile5.346

CUS05S40,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 40V 500MA USC

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 350mV @ 100mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 30µA @ 10V
Capacità @ Vr, F: 42pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore: USC
Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)

Disponibile122.724

CUS05(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 20V 1A US-FLAT

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 700mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V
Capacità @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore: US-FLAT (1.25x2.5)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 125°C

Disponibile3.186

CUS06(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 20V 1A US-FLAT

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 700mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 30µA @ 20V
Capacità @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore: US-FLAT (1.25x2.5)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

Disponibile2.502

CUS08F30,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 800MA USC

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media Rettificata (Io): 800mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 220mV @ 10mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 30V
Capacità @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore: USC
Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)

Disponibile2.502

CUS10F30,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 30V
Capacità @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore: USC
Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)

Disponibile3.132

CUS10F40,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 40V 1A USC

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 670mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 20µA @ 40V
Capacità @ Vr, F: 74pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore: USC
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile2.988

CUS10I30A(TE85L,QM

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 1A US-FLAT

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 390mV @ 700mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 60µA @ 30V
Capacità @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore: US-FLAT (1.25x2.5)
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile7.020

CUS10I40A(TE85L,QM

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 40V 1A US-FLAT

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 700mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 60µA @ 40V
Capacità @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore: US-FLAT (1.25x2.5)
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile2.916

CUS10S30,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 230mV @ 100mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 30V
Capacità @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore: USC
Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)

Disponibile987.474

CUS10S40,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 40V 1A USC

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 400mV @ 500mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 150µA @ 40V
Capacità @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore: USC
Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)

Disponibile112.284

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