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Diodi e raddrizzatori

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BAW27-TAP
BAW27-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 60V 600MA DO35

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 600mA (DC)
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 400mA
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 6ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 60V
  • Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)
Disponibile239.532
BAW27-TR
BAW27-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 60V 600MA DO35

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 600mA (DC)
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 400mA
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 6ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 60V
  • Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)
Disponibile98.064
BAW56DWQ-7-F
BAW56DWQ-7-F

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT-363

  • Produttore: Diodes Incorporated
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA
  • Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2.5µA @ 75V
  • Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C
Disponibile8.496
BAW62
BAW62

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 300mA
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
  • Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)
Disponibile5.274
BAW62,113
BAW62,113

NXP

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 250MA ALF2

  • Produttore: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 250mA (DC)
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
  • Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Pacchetto dispositivo fornitore: ALF2
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 200°C (Max)
Disponibile2.142
BAW62,133
BAW62,133

NXP

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 250MA ALF2

  • Produttore: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 250mA (DC)
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
  • Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Pacchetto dispositivo fornitore: ALF2
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 200°C (Max)
Disponibile7.218
BAW62,143
BAW62,143

NXP

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 250MA ALF2

  • Produttore: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 250mA (DC)
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
  • Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Pacchetto dispositivo fornitore: ALF2
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 200°C (Max)
Disponibile2.700
BAW62_T50A
BAW62_T50A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 300mA
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
  • Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)
Disponibile7.614
BAW62_T50R
BAW62_T50R

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 300mA
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
  • Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)
Disponibile3.474
BAW75-TAP
BAW75-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 25V 300MA DO35

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 25V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 300mA (DC)
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30mA
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 25V
  • Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)
Disponibile321.354
BAW76
BAW76

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 300mA
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 50V
  • Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)
Disponibile31.296
BAW76_T50R
BAW76_T50R

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 300mA
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 50V
  • Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)
Disponibile4.950
BAW76-TAP
BAW76-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 300mA (DC)
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 50V
  • Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)
Disponibile317.274
BAW76-TR
BAW76-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 300mA (DC)
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
  • Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 50V
  • Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)
Disponibile579.618
BAW78DE6327HTSA1
BAW78DE6327HTSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A SOT89

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A (DC)
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1A
  • Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 1µs
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V
  • Capacità @ Vr, F: 10pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-243AA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT89
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)
Disponibile7.128
BAW78DH6327XTSA1
BAW78DH6327XTSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GP 400V 1A SOT89

  • Produttore: Infineon Technologies
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 1A (DC)
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1A
  • Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 1µs
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V
  • Capacità @ Vr, F: 10pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-243AA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT89
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)
Disponibile44.904
BAWH56WT1G
BAWH56WT1G

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

70V ANODE DIODE

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: *
  • Tipo di diodo: -
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
  • Corrente - Media Rettificata (Io): -
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
  • Velocità: -
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
  • Capacità @ Vr, F: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Disponibile3.456
BAX16
BAX16

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 1mA
  • Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Tempo di recupero inverso (trr): 120ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 150V
  • Capacità @ Vr, F: -
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)
Disponibile119.364
BAX16TR
BAX16TR

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 1mA
  • Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Tempo di recupero inverso (trr): 120ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 150V
  • Capacità @ Vr, F: -
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)
Disponibile6.444
BAY135-TAP
BAY135-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

  • Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 125V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30mA
  • Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Tempo di recupero inverso (trr): -
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3nA @ 60V
  • Capacità @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)
Disponibile8.028
BAY71
BAY71

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20mA
  • Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 35V
  • Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)
Disponibile2.808
BAY71_T50R
BAY71_T50R

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20mA
  • Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 35V
  • Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)
Disponibile4.500
BAY71TR
BAY71TR

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20mA
  • Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 35V
  • Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)
Disponibile5.994
BAY72
BAY72

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 125V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
  • Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 100V
  • Capacità @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)
Disponibile2.736
BAY72_T50R
BAY72_T50R

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 125V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
  • Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 100V
  • Capacità @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)
Disponibile7.182
BAY72TR
BAY72TR

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 125V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
  • Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 100V
  • Capacità @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)
Disponibile3.222
BAY73
BAY73

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 125V 500MA DO35

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 125V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA
  • Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 1µs
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5nA @ 100V
  • Capacità @ Vr, F: 8pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)
Disponibile36.996
BAY73_T50R
BAY73_T50R

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 125V 500MA DO35

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 125V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA
  • Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 1µs
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5nA @ 100V
  • Capacità @ Vr, F: 8pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)
Disponibile4.806
BAY73TR
BAY73TR

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 125V 500MA DO35

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 125V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA
  • Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Tempo di recupero inverso (trr): 1µs
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5nA @ 100V
  • Capacità @ Vr, F: 8pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)
Disponibile2.664
BAY80
BAY80

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di diodo: Standard
  • Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
  • Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
  • Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 150mA
  • Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Tempo di recupero inverso (trr): 60ns
  • Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 120V
  • Capacità @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
  • Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)
Disponibile2.322