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BAY73_T50R

BAY73_T50R

Solo per riferimento

Numero parte BAY73_T50R
PNEDA Part # BAY73_T50R
Descrizione DIODE GEN PURP 125V 500MA DO35
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.806
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BAY73_T50R Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBAY73_T50R
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
BAY73_T50R, BAY73_T50R Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 144,81 KB)
PDFBAY73TR Datasheet Copertura
BAY73TR Datasheet Pagina 2 BAY73TR Datasheet Pagina 3 BAY73TR Datasheet Pagina 4

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BAY73_T50R Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)125V
Corrente - Media Rettificata (Io)500mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1V @ 200mA
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)1µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr5nA @ 100V
Capacità @ Vr, F8pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaDO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione175°C (Max)

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Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

25A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 25A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

300pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SRA

Pacchetto dispositivo fornitore

SRA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-50°C ~ 150°C

V3FM15-M3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®, TMBS®

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.24V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

85µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

150pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-219AB (SMF)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 175°C

JAN1N5822

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/620

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

500mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 40V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

B, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 125°C

1N3269

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

S380Z

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

2000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

380A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 380A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 1600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-205AB, DO-9, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-205AB, DO-9

Temperatura di esercizio - Giunzione

-60°C ~ 180°C

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