Diodi e raddrizzatori

1N6539

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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1N6540

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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1N6541

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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1N6542

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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1N6543

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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1N6544

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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1N6545

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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1N6546

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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1N6547

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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1N6548

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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1N6549

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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1N6620

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 220V 1.2A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 220V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1.2A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.2A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 220V
• Capacità @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: A, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

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1N6620US

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 220V 1.2A A-MELF

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 220V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1.2A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.2A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 220V
• Capacità @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, A
• Pacchetto dispositivo fornitore: A-MELF
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

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1N6621

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 440V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1.2A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.2A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 440V
• Capacità @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: A, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

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1N6621US

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 440V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1.2A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.2A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 440V
• Capacità @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, A
• Pacchetto dispositivo fornitore: A-MELF
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

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1N6621US/TR

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

UFR,FRR

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 2A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 45ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 400V
• Capacità @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, A
• Pacchetto dispositivo fornitore: D-5A
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

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1N6622

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1.2A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.2A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 45ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: A, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: A-PAK
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

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1N6622US

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 660V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1.2A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.2A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 660V
• Capacità @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, A
• Pacchetto dispositivo fornitore: A-MELF
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

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1N6623

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 880V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 1A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 880V
• Capacità @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: A, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

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1N6623US

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 880V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 1A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 880V
• Capacità @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, A
• Pacchetto dispositivo fornitore: A-MELF
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

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1N6624

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 990V 1A A-PAK

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 990V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 18V @ 500mA
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 60ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 900V
• Capacità @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: A, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: A-PAK
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

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1N6624US

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 990V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 1A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 990V
• Capacità @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, A
• Pacchetto dispositivo fornitore: A-MELF
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

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1N6625

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1100V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 1A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 60ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 1100V
• Capacità @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: A, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

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1N6625E3

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1100V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.95V @ 1.5A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 80ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 1000V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: A, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: A, Axial
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

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1N6625US

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1100V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 1A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 60ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 1100V
• Capacità @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, A
• Pacchetto dispositivo fornitore: A-MELF
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

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1N6626

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 220V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1.75A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 2A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 220V
• Capacità @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: A, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

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1N6626US

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 220V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1.75A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 2A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 220V
• Capacità @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, A
• Pacchetto dispositivo fornitore: A-MELF
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

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1N6627

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 440V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1.75A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 2A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 440V
• Capacità @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: A, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

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1N6627US

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 440V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1.75A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 2A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 440V
• Capacità @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, A
• Pacchetto dispositivo fornitore: A-MELF
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

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1N6628

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1.75A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1.75A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 2A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 45ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: A, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: A-PAK
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

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