Diodi e raddrizzatori

1N6479-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: SUPERECTIFIER®
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 100V
• Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N6479HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: SUPERECTIFIER®
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 100V
• Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N6479HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: SUPERECTIFIER®
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 100V
• Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N647UR-1

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 400MA DO213

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 400mA
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 400mA
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 400V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-213AA (Glass)
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AA
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N6480-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: SUPERECTIFIER®
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
• Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N6480-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: SUPERECTIFIER®
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
• Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N6480HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: SUPERECTIFIER®
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
• Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N6480HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: SUPERECTIFIER®
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
• Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N648-1

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 500V 400MA DO35

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 400mA
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 400mA
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 500V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N6481-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: SUPERECTIFIER®
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
• Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N6481-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: SUPERECTIFIER®
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
• Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N6481HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: SUPERECTIFIER®
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
• Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N6481HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: SUPERECTIFIER®
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
• Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N6482-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: SUPERECTIFIER®
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N6482-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: SUPERECTIFIER®
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N6482HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: SUPERECTIFIER®
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N6482HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: SUPERECTIFIER®
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N6483-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: SUPERECTIFIER®
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V
• Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N6483-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: SUPERECTIFIER®
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V
• Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N6483HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: SUPERECTIFIER®
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V
• Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N6483HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: SUPERECTIFIER®
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V
• Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N6484-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: SUPERECTIFIER®
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1000V
• Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N6484-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: SUPERECTIFIER®
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1000V
• Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N6484HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: SUPERECTIFIER®
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1000V
• Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N6484HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: SUPERECTIFIER®
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1000V
• Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N649-1

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 400mA
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 400mA
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N649UR-1

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 400MA DO213

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 400mA
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 400mA
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-213AA (Glass)
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AA
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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1N6536

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A (DC)
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 1A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: A, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: A, Axial
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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1N6537

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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1N6538

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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