Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
MBR1590CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY SCHOTTKY 90V TO220AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 90V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 7.5A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 90V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile8.550
MBR1590CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY SCHOTTKY 90V TO220AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: Automotive, AEC-Q101 Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 90V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 7.5A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 90V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile8.604
MBR15H35CT-E3/45 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY TO-220AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: * Configurazione diodi: - Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.940
MBR15H35CTHE3/45 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY TO-220AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: * Configurazione diodi: - Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.174
MBR15H45CT-E3/45 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 7.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 630mV @ 7.5A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 45V Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile7.074
MBR15H45CTHE3/45 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 7.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 630mV @ 7.5A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 45V Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile4.014
MBR15H50CT-E3/45 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY TO-220AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: * Configurazione diodi: - Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.642
MBR15H50CTHE3/45 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY TO-220AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: * Configurazione diodi: - Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.698
MBR15H60CT-E3/45 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 7.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 730mV @ 7.5A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 60V Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile3.132
MBR15H60CTHE3/45 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 7.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 730mV @ 7.5A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 60V Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile5.940
MBR16100CT Diodes Incorporated	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY TO220 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Configurazione diodi: - Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.002
MBR16100CT ON Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 Produttore: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 740mV @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 100V Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile4.788
MBR16100CTG ON Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 Produttore: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 740mV @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 100V Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile17.880
MBR16100CTH ON Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY Produttore: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 740mV @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 100V Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3	Disponibile8.154
MBR1640CT SMC Diode Solutions	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO220AB Produttore: SMC Diode Solutions Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 16A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 40V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile4.695
MBR200100CT GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 100A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile4.590
MBR200100CTR GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 100A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile2.178
MBR200100CTS GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 100V 200A SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 100A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 80V Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Screw Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile6.192
MBR200150CT GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 150V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile8.280
MBR200150CTR GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 150V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile7.848
MBR200200CT GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 100A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile4.518
MBR200200CTR GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 100A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile7.110
MBR20020CT GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile2.250
MBR20020CTR GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile3.330
MBR20030CT GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile7.020
MBR20030CTR GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile3.780
MBR20035CT GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile2.178
MBR20035CTR GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile8.604
MBR20040CT GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 40V 200A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile6.552
MBR20040CTR GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 40V 200A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile3.006

MBR1590CT C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY SCHOTTKY 90V TO220AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 90V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 15A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 7.5A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 90V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile8.550

MBR1590CTHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY SCHOTTKY 90V TO220AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: Automotive, AEC-Q101
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 90V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 15A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 7.5A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 90V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile8.604

MBR15H35CT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY TO-220AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: *
Configurazione diodi: -
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile5.940

MBR15H35CTHE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY TO-220AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: *
Configurazione diodi: -
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile6.174

MBR15H45CT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 7.5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 630mV @ 7.5A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 45V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile7.074

MBR15H45CTHE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 7.5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 630mV @ 7.5A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 45V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile4.014

MBR15H50CT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY TO-220AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: *
Configurazione diodi: -
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile6.642

MBR15H50CTHE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY TO-220AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: *
Configurazione diodi: -
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile4.698

MBR15H60CT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 7.5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 730mV @ 7.5A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 60V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile3.132

MBR15H60CTHE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 7.5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 730mV @ 7.5A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 60V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile5.940

MBR16100CT

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY TO220

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: *
Configurazione diodi: -
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile7.002

MBR16100CT

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220

Produttore: ON Semiconductor
Serie: SWITCHMODE™
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 740mV @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 100V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile4.788

MBR16100CTG

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220

Produttore: ON Semiconductor
Serie: SWITCHMODE™
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 740mV @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 100V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile17.880

MBR16100CTH

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY

Produttore: ON Semiconductor
Serie: SWITCHMODE™
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 740mV @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 100V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3

Disponibile8.154

MBR1640CT

SMC Diode Solutions

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO220AB

Produttore: SMC Diode Solutions
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 16A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 40V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile4.695

MBR200100CT

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 100A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile4.590

MBR200100CTR

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 100A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile2.178

MBR200100CTS

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 100V 200A SOT227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 100A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 80V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Screw Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile6.192

MBR200150CT

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 150V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile8.280

MBR200150CTR

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 150V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile7.848

MBR200200CT

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 100A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile4.518

MBR200200CTR

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 100A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile7.110

MBR20020CT

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile2.250

MBR20020CTR

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile3.330

MBR20030CT

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile7.020

MBR20030CTR

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile3.780

MBR20035CT

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile2.178

MBR20035CTR

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile8.604

MBR20040CT

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 40V 200A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile6.552

MBR20040CTR

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 40V 200A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile3.006

Send Message

Certifications

Diodi e raddrizzatori

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message