MBR200200CTR
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| Numero parte | MBR200200CTR |
| PNEDA Part # | MBR200200CTR |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.110 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
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MBR200200CTR Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MBR200200CTR |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
| Datasheet |
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MBR200200CTR Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 100A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 100A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 200V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Twin Tower |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 20A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 980mV @ 40A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 100V Temperatura di esercizio - Giunzione 175°C (Max) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie HEXFRED® Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 15A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 60ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Anode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 300A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 650mV @ 300A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 10mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 175°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia TO-244AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-244AB |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie * Configurazione diodi - Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Temperatura di esercizio - Giunzione - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
