Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
FYV0203DNMTF ON Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 30V Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)	Disponibile4.240
FYV0203DSMTF ON Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 30V Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)	Disponibile8.640
GB10SLT12-247D GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 12A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 5A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 1200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247	Disponibile5.868
GB20SLT12-247D GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 1.2KV 25A TO247D Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 25A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 1200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247	Disponibile4.032
GB2X100MPS12-227 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array SIC DIODE 1200V 200A SOT-227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 185A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 100A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 80µA @ 1200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile6.570
GB2X50MPS12-227 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array SIC DIODE 1200V 100A SOT-227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 93A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 50A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 1200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile5.076
GB2X50MPS17-227 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MOD SCHOTTKY 1700V SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1700V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 136A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 50A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 1700V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile6.642
GC2X100MPS06-227 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MOD SCHOT 650V 209A SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 209A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 50A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 20µA @ 650V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile8.874
GC2X10MPS12-247 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array SIC DIODE 1200V 20A TO-247-3 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 50A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3	Disponibile7.848
GC2X15MPS12-247 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array SIC DIODE 1200V 30A TO-247-3 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 75A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 15A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 14µA @ 1200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3	Disponibile7.452
GC2X20MPS12-247 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array SIC DIODE 1200V 40A TO-247-3 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 90A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 18µA @ 1200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3	Disponibile6.252
GC2X50MPS06-227 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MOD SCHOT 650V 104A SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 104A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 50A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 650V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile4.482
GC2X5MPS12-247 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array SIC DIODE 1200V 10A TO-247-3 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 27A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 4µA @ 1200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3	Disponibile7.944
GC2X8MPS12-247 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array SIC DIODE 1200V 15A TO-247-3 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 40A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 8A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 7µA @ 1200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3	Disponibile8.988
GDP24D060B Global Power Technologies Group	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO247-3 Produttore: Global Power Technologies Group Serie: Amp+™ Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 12A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 12A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 135°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3	Disponibile8.730
GDP30D120B Global Power Technologies Group	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO247-3 Produttore: Global Power Technologies Group Serie: Amp+™ Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 15A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 15A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 135°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3	Disponibile4.410
GDP48Y060B Global Power Technologies Group	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 600V 24A TO247-3 Produttore: Global Power Technologies Group Serie: Amp+™ Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 24A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 24A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 135°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3	Disponibile3.582
GDP60D120B Global Power Technologies Group	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 1200V 30A TO247-3 Produttore: Global Power Technologies Group Serie: Amp+™ Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 135°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3	Disponibile2.322
GDP60Y120B Global Power Technologies Group	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTTKY 1200V 30A TO247-3 Produttore: Global Power Technologies Group Serie: Amp+™ Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 135°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3	Disponibile7.110
GHXS010A060S-D3 Global Power Technologies Group	Raddrizzatori - Array DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227 Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile6.228
GHXS010A060S-D4 Global Power Technologies Group	Raddrizzatori - Array DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227 Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile6.984
GHXS015A120S-D3 Global Power Technologies Group	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227 Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 15A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile5.742
GHXS015A120S-D4 Global Power Technologies Group	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227 Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 15A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile6.300
GHXS020A060S-D3 Global Power Technologies Group	Raddrizzatori - Array DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227 Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 20A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile8.604
GHXS020A060S-D4 Global Power Technologies Group	Raddrizzatori - Array DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227 Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 20A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile3.436
GHXS030A060S-D3 Global Power Technologies Group	Raddrizzatori - Array DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227 Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile5.742
GHXS030A060S-D4 Global Power Technologies Group	Raddrizzatori - Array DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227 Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile8.802
GHXS030A120S-D3 Global Power Technologies Group	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227 Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile8.496
GHXS030A120S-D4 Global Power Technologies Group	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227 Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile7.578
GHXS045A120S-D3 Global Power Technologies Group	Raddrizzatori - Array DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227 Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 45A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 45A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 300µA @ 1200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile4.752

FYV0203DNMTF

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 30V
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)

Disponibile4.240

FYV0203DSMTF

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 30V
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)

Disponibile8.640

GB10SLT12-247D

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 12A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 5A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 1200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247

Disponibile5.868

GB20SLT12-247D

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 25A TO247D

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 25A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 1200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247

Disponibile4.032

GB2X100MPS12-227

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

SIC DIODE 1200V 200A SOT-227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 185A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 100A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 80µA @ 1200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile6.570

GB2X50MPS12-227

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

SIC DIODE 1200V 100A SOT-227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 93A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 50A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 1200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile5.076

GB2X50MPS17-227

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MOD SCHOTTKY 1700V SOT227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1700V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 136A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 50A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 1700V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile6.642

GC2X100MPS06-227

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MOD SCHOT 650V 209A SOT227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 209A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 50A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 20µA @ 650V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile8.874

GC2X10MPS12-247

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

SIC DIODE 1200V 20A TO-247-3

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 50A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3

Disponibile7.848

GC2X15MPS12-247

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

SIC DIODE 1200V 30A TO-247-3

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 75A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 15A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 14µA @ 1200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3

Disponibile7.452

GC2X20MPS12-247

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

SIC DIODE 1200V 40A TO-247-3

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 90A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 18µA @ 1200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3

Disponibile6.252

GC2X50MPS06-227

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MOD SCHOT 650V 104A SOT227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 104A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 50A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 650V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile4.482

GC2X5MPS12-247

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

SIC DIODE 1200V 10A TO-247-3

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 27A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 4µA @ 1200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3

Disponibile7.944

GC2X8MPS12-247

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

SIC DIODE 1200V 15A TO-247-3

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 40A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 8A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 7µA @ 1200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3

Disponibile8.988

GDP24D060B

Global Power Technologies Group

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO247-3

Produttore: Global Power Technologies Group
Serie: Amp+™
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 12A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 12A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 135°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3

Disponibile8.730

GDP30D120B

Global Power Technologies Group

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO247-3

Produttore: Global Power Technologies Group
Serie: Amp+™
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 15A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 15A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 135°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3

Disponibile4.410

GDP48Y060B

Global Power Technologies Group

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 600V 24A TO247-3

Produttore: Global Power Technologies Group
Serie: Amp+™
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 24A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 24A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 135°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3

Disponibile3.582

GDP60D120B

Global Power Technologies Group

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 1200V 30A TO247-3

Produttore: Global Power Technologies Group
Serie: Amp+™
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 135°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3

Disponibile2.322

GDP60Y120B

Global Power Technologies Group

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTTKY 1200V 30A TO247-3

Produttore: Global Power Technologies Group
Serie: Amp+™
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 135°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3

Disponibile7.110

GHXS010A060S-D3

Global Power Technologies Group

Raddrizzatori - Array

DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227

Produttore: Global Power Technologies Group
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 10A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile6.228

GHXS010A060S-D4

Global Power Technologies Group

Raddrizzatori - Array

DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227

Produttore: Global Power Technologies Group
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 10A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile6.984

GHXS015A120S-D3

Global Power Technologies Group

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227

Produttore: Global Power Technologies Group
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 15A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 15A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile5.742

GHXS015A120S-D4

Global Power Technologies Group

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227

Produttore: Global Power Technologies Group
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 15A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 15A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile6.300

GHXS020A060S-D3

Global Power Technologies Group

Raddrizzatori - Array

DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227

Produttore: Global Power Technologies Group
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 20A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile8.604

GHXS020A060S-D4

Global Power Technologies Group

Raddrizzatori - Array

DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227

Produttore: Global Power Technologies Group
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 20A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile3.436

GHXS030A060S-D3

Global Power Technologies Group

Raddrizzatori - Array

DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227

Produttore: Global Power Technologies Group
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile5.742

GHXS030A060S-D4

Global Power Technologies Group

Raddrizzatori - Array

DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227

Produttore: Global Power Technologies Group
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile8.802

GHXS030A120S-D3

Global Power Technologies Group

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227

Produttore: Global Power Technologies Group
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile8.496

GHXS030A120S-D4

Global Power Technologies Group

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227

Produttore: Global Power Technologies Group
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile7.578

GHXS045A120S-D3

Global Power Technologies Group

Raddrizzatori - Array

DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227

Produttore: Global Power Technologies Group
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 45A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 45A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 300µA @ 1200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile4.752

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