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GHXS015A120S-D4

GHXS015A120S-D4

Solo per riferimento

Numero parte GHXS015A120S-D4
PNEDA Part # GHXS015A120S-D4
Descrizione DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
Produttore Global Power Technologies Group
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.300
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 12 - mag 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GHXS015A120S-D4 Risorse

Brand Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGHXS015A120S-D4
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
GHXS015A120S-D4, GHXS015A120S-D4 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 545,73 KB)
PDFGHXS015A120S-D4 Datasheet Copertura
GHXS015A120S-D4 Datasheet Pagina 2 GHXS015A120S-D4 Datasheet Pagina 3 GHXS015A120S-D4 Datasheet Pagina 4 GHXS015A120S-D4 Datasheet Pagina 5 GHXS015A120S-D4 Datasheet Pagina 6

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GHXS015A120S-D4 Specifiche

ProduttoreGlobal Power Technologies Group
Serie-
Configurazione diodi2 Independent
Tipo di diodoSilicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)15A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.7V @ 15A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr100µA @ 1200V
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-227

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

200mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

800mV @ 100mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

5ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500nA @ 25V

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

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Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

150A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

920mV @ 150A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3mA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Twin Tower

Pacchetto dispositivo fornitore

Twin Tower

MBRT50035R

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

500A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

750mV @ 250A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 20V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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Pacchetto dispositivo fornitore

Three Tower

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

50mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 50mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

700ps

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50nA @ 20V

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo di diodo

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

830mV @ 30A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

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Temperatura di esercizio - Giunzione

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