Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
IRKE91/08A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GP 800V 100A ADD-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 100A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10mA @ 800V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: ADD-A-PAK (2) Pacchetto dispositivo fornitore: ADD-A-PAK® Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile7.992
IRKE91/10A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1KV 100A ADDAPAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media Rettificata (Io): 100A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10mA @ 1000V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: ADD-A-PAK (2) Pacchetto dispositivo fornitore: ADD-A-PAK® Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile3.384
IRKE91/12A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GP 1.2KV 100A ADD-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 100A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10mA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: ADD-A-PAK (2) Pacchetto dispositivo fornitore: ADD-A-PAK® Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile4.536
IRKE91/14A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GP 1.4KV 100A ADD-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1400V Corrente - Media Rettificata (Io): 100A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10mA @ 1400V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: ADD-A-PAK (2) Pacchetto dispositivo fornitore: ADD-A-PAK® Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile7.308
IRKE91/16A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GP 1.6KV 100A ADD-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1600V Corrente - Media Rettificata (Io): 100A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10mA @ 1600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: ADD-A-PAK (2) Pacchetto dispositivo fornitore: ADD-A-PAK® Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile3.942
ISL9R1560G2 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 15A TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: Stealth™ Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 15A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 40ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile13.194
ISL9R1560G2-F085 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 15A TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, Stealth™ Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 15A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 40ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile7.686
ISL9R1560P2 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC Produttore: ON Semiconductor Serie: Stealth™ Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 15A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 40ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile7.644
ISL9R1560P2-F085 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, Stealth™ Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 15A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile8.172
ISL9R1560PF2 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC Produttore: ON Semiconductor Serie: Stealth™ Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 15A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 40ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F-2L Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.513
ISL9R1560S3ST ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 15A TO263-2 Produttore: ON Semiconductor Serie: Stealth™ Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 15A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 40ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.814
ISL9R18120G2 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: Stealth™ Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 18A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 18A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 70ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile10.608
ISL9R18120P2 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO220AC Produttore: ON Semiconductor Serie: Stealth™ Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 18A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 18A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 70ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.564
ISL9R18120S3ST ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2 Produttore: ON Semiconductor Serie: Stealth™ Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 18A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 18A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 300ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile15.000
ISL9R30120G2 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: Stealth™ Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 100ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile16.638
ISL9R3060G2 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 30A TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: Stealth™ Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 45ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile17.700
ISL9R3060G2-F085 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2 Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, Stealth™ Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 45ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile16.032
ISL9R3060P2 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC Produttore: ON Semiconductor Serie: Stealth™ Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 45ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile23.412
ISL9R460P2 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC Produttore: ON Semiconductor Serie: Stealth™ Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 4A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 4A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 22ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.400
ISL9R460PF2 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC Produttore: ON Semiconductor Serie: Stealth™ Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 4A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 4A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 22ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F-2L Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile10.740
ISL9R460S3ST ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 4A TO263AB Produttore: ON Semiconductor Serie: Stealth™ Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 4A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 4A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 22ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.634
ISL9R8120P2 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2L Produttore: ON Semiconductor Serie: Stealth™ Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 300ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 30pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2L Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.820
ISL9R8120S3ST ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263 Produttore: ON Semiconductor Serie: Stealth™ Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 300ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 30pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile2.808
ISL9R860P2 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC Produttore: ON Semiconductor Serie: Stealth™ Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile14.262
ISL9R860PF2 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F Produttore: ON Semiconductor Serie: Stealth™ Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F-2L Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile31.260
ISL9R860S3ST ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 8A TO263-2 Produttore: ON Semiconductor Serie: Stealth™ Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB (D²PAK) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile1.819
ISOPAC0103 Semtech	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1KV 15A Produttore: Semtech Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media Rettificata (Io): 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 9A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 1000V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile4.608
ISOPAC0104 Semtech	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 15A Produttore: Semtech Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.814
ISOPAC0111 Semtech	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 15A Produttore: Semtech Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 9A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 150V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.490
ISOPAC0112 Semtech	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 15A Produttore: Semtech Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 9A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile8.064

IRKE91/08A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GP 800V 100A ADD-A-PAK

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10mA @ 800V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: ADD-A-PAK (2)
Pacchetto dispositivo fornitore: ADD-A-PAK®
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile7.992

IRKE91/10A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 100A ADDAPAK

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10mA @ 1000V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: ADD-A-PAK (2)
Pacchetto dispositivo fornitore: ADD-A-PAK®
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile3.384

IRKE91/12A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GP 1.2KV 100A ADD-A-PAK

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10mA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: ADD-A-PAK (2)
Pacchetto dispositivo fornitore: ADD-A-PAK®
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile4.536

IRKE91/14A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GP 1.4KV 100A ADD-A-PAK

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10mA @ 1400V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: ADD-A-PAK (2)
Pacchetto dispositivo fornitore: ADD-A-PAK®
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile7.308

IRKE91/16A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GP 1.6KV 100A ADD-A-PAK

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10mA @ 1600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: ADD-A-PAK (2)
Pacchetto dispositivo fornitore: ADD-A-PAK®
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile3.942

ISL9R1560G2

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 15A TO247

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Stealth™
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 15A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 15A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 40ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile13.194

ISL9R1560G2-F085

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 15A TO247

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101, Stealth™
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 15A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 15A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 40ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile7.686

ISL9R1560P2

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Stealth™
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 15A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 15A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 40ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile7.644

ISL9R1560P2-F085

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101, Stealth™
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 15A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 15A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile8.172

ISL9R1560PF2

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Stealth™
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 15A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 15A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 40ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F-2L
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.513

ISL9R1560S3ST

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 15A TO263-2

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Stealth™
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 15A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 15A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 40ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.814

ISL9R18120G2

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Stealth™
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 18A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 18A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 70ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile10.608

ISL9R18120P2

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO220AC

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Stealth™
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 18A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 18A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 70ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.564

ISL9R18120S3ST

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Stealth™
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 18A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 18A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 300ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile15.000

ISL9R30120G2

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Stealth™
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 100ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile16.638

ISL9R3060G2

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Stealth™
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 45ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile17.700

ISL9R3060G2-F085

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101, Stealth™
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 45ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile16.032

ISL9R3060P2

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Stealth™
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 45ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile23.412

ISL9R460P2

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Stealth™
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 4A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 4A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 22ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.400

ISL9R460PF2

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Stealth™
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 4A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 4A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 22ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F-2L
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile10.740

ISL9R460S3ST

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 4A TO263AB

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Stealth™
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 4A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 4A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 22ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.634

ISL9R8120P2

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2L

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Stealth™
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 300ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 30pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2L
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.820

ISL9R8120S3ST

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Stealth™
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 300ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 30pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile2.808

ISL9R860P2

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Stealth™
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile14.262

ISL9R860PF2

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Stealth™
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F-2L
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile31.260

ISL9R860S3ST

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263-2

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Stealth™
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB (D²PAK)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile1.819

ISOPAC0103

Semtech

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 15A

Produttore: Semtech Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media Rettificata (Io): 15A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 9A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile4.608

ISOPAC0104

Semtech

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 15A

Produttore: Semtech Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 15A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.814

ISOPAC0111

Semtech

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 15A

Produttore: Semtech Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 15A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 9A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.490

ISOPAC0112

Semtech

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 15A

Produttore: Semtech Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 15A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 9A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile8.064

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