Diodi e raddrizzatori

IRD3910R

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 30A DO203AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 30A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 62.8A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 350ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 80µA @ 100V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-203AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 125°C

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IRD3911

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 30A DO203AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 30A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 62.8A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 350ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 80µA @ 200V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-203AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 125°C

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IRD3912

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 30A DO203AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 30A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 62.8A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 350ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 80µA @ 300V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-203AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 125°C

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IRD3CH101DB6

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 200A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.7V @ 200A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 360ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3.6µA @ 1200V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: Die
• Pacchetto dispositivo fornitore: Die
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C

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IRD3CH101DD6

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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IRD3CH101DF6

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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IRD3CH11DB6

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DIE

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 25A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.7V @ 25A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 190ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 700nA @ 1200V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: Die
• Pacchetto dispositivo fornitore: Die
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

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IRD3CH11DD6

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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IRD3CH11DF6

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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IRD3CH16DB6

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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IRD3CH16DD6

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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IRD3CH16DF6

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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IRD3CH24DB6

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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IRD3CH24DD6

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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IRD3CH24DF6

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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IRD3CH31DB6

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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IRD3CH31DD6

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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IRD3CH31DF6

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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IRD3CH42DB6

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 75A DIE

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 75A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.7V @ 75A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 285ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1.5µA @ 1200V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: Die
• Pacchetto dispositivo fornitore: Die
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

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IRD3CH42DD6

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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IRD3CH42DF6

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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IRD3CH53DB6

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DIE

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 100A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.7V @ 100A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 270ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 1200V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: Die
• Pacchetto dispositivo fornitore: Die
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

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IRD3CH53DD6

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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IRD3CH53DF6

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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IRD3CH5BD6

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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IRD3CH5DB6

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DIE

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.7V @ 5A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 96ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 1200V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: Die
• Pacchetto dispositivo fornitore: Die
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

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IRD3CH82DB6

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 150A DIE

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 150A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.7V @ 150A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 355ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3µA @ 1200V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: Die
• Pacchetto dispositivo fornitore: Die
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

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IRD3CH82DD6

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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IRD3CH82DF6

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
• Corrente - Media Rettificata (Io): -
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: -
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -

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IRD3CH9DB6

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 10A DIE

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 10A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.7V @ 10A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 154ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200nA @ 1200V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: Die
• Pacchetto dispositivo fornitore: Die
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

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