Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
HS5F V6G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 5A DO214AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.958
HS5F V7G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 5A DO214AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 5A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile24.708
HS5G M6G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 5A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.508
HS5G R7G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 5A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.562
HS5G V6G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile2.484
HS5G V7G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 5A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile18.708
HS5J M6G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.230
HS5J R7G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.132
HS5J V6G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile2.322
HS5J V7G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile20.736
HS5K M6G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 800V 5A DO214AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V Capacità @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.402
HS5K R7G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 800V 5A DO214AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V Capacità @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile6.318
HS5K V6G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 800V 5A DO214AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V Capacità @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.706
HS5K V7G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 800V 5A DO214AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V Capacità @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile15.648
HS5M M6G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 5A DO214AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media Rettificata (Io): 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1000V Capacità @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.978
HS5M R7G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media Rettificata (Io): 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1000V Capacità @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.892
HS5M V6G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 5A DO214AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media Rettificata (Io): 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1000V Capacità @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile2.178
HS5M V7G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media Rettificata (Io): 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1000V Capacità @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile17.064
HSM1100GE3/TR13 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO215AA Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 100V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-215AA, SMB Gull Wing Pacchetto dispositivo fornitore: DO-215AA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile8.640
HSM1100G/TR13 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO215AA Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 100V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-215AA, SMB Gull Wing Pacchetto dispositivo fornitore: DO-215AA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.768
HSM1100JE3/TR13 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214BA Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 100V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214BA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.466
HSM120GE3/TR13 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 1A 20V SMBG Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media Rettificata (Io): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile2.142
HSM120G/TR13 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 1A 20V SMBG Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media Rettificata (Io): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile2.916
HSM120JE3/TR13 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 1A 20V SMAJ Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media Rettificata (Io): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile4.464
HSM130GE3/TR13 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 1A 30V SMBG Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media Rettificata (Io): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile7.668
HSM130G/TR13 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 1A 30V SMBG Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media Rettificata (Io): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile8.442
HSM130JE3/TR13 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 1A 30V SMAJ Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media Rettificata (Io): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile7.488
HSM140GE3/TR13 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 1A 40V SMBG Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media Rettificata (Io): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile4.716
HSM140G/TR13 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 1A 40V SMBG Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media Rettificata (Io): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile6.804
HSM140JE3/TR13 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 1A 40V SMAJ Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media Rettificata (Io): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile3.240

HS5F V6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 5A DO214AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.958

HS5F V7G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 5A DO214AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 5A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile24.708

HS5G M6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 5A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.508

HS5G R7G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 5A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.562

HS5G V6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile2.484

HS5G V7G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 5A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile18.708

HS5J M6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.230

HS5J R7G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.132

HS5J V6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile2.322

HS5J V7G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile20.736

HS5K M6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 5A DO214AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V
Capacità @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.402

HS5K R7G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 5A DO214AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V
Capacità @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile6.318

HS5K V6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 5A DO214AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V
Capacità @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.706

HS5K V7G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 5A DO214AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V
Capacità @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile15.648

HS5M M6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 5A DO214AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.978

HS5M R7G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.892

HS5M V6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 5A DO214AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile2.178

HS5M V7G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile17.064

HSM1100GE3/TR13

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO215AA

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-215AA, SMB Gull Wing
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-215AA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile8.640

HSM1100G/TR13

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO215AA

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-215AA, SMB Gull Wing
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-215AA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.768

HSM1100JE3/TR13

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214BA

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214BA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.466

HSM120GE3/TR13

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1A 20V SMBG

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: *
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media Rettificata (Io): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile2.142

HSM120G/TR13

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1A 20V SMBG

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: *
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media Rettificata (Io): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile2.916

HSM120JE3/TR13

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1A 20V SMAJ

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: *
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media Rettificata (Io): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile4.464

HSM130GE3/TR13

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1A 30V SMBG

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: *
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media Rettificata (Io): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile7.668

HSM130G/TR13

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1A 30V SMBG

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: *
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media Rettificata (Io): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile8.442

HSM130JE3/TR13

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1A 30V SMAJ

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: *
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media Rettificata (Io): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile7.488

HSM140GE3/TR13

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1A 40V SMBG

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: *
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media Rettificata (Io): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile4.716

HSM140G/TR13

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1A 40V SMBG

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: *
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media Rettificata (Io): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile6.804

HSM140JE3/TR13

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1A 40V SMAJ

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: *
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media Rettificata (Io): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile3.240

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