HS5J V6G
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| Numero parte | HS5J V6G |
| PNEDA Part # | HS5J-V6G |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB |
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.322 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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HS5J V6G Risorse
| Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HS5J V6G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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HS5J V6G Specifiche
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 5A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | - |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-214AB, SMC |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 3µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 200nA @ 200V Capacità @ Vr, F 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-204AL (DO-41) Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 150V Corrente - Media Rettificata (Io) 16A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 975mV @ 16A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 150V Capacità @ Vr, F 130pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore ITO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 720mV @ 5mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 700mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 60V Capacità @ Vr, F 80pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-213AB, MELF Pacchetto dispositivo fornitore GL41 (DO-213AB) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 150V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 2.04V @ 9.4A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 150V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SQ-MELF, A Pacchetto dispositivo fornitore D-5A Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 155°C |
