Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
HERAF803G C0G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: ITO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile2.088
HERAF804G C0G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 8A ITO220AC Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: ITO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile6.768
HERAF805G C0G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: ITO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.294
HERAF806G C0G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 80ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: ITO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.658
HERAF807G C0G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 80ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V Capacità @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: ITO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile6.192
HERAF808G C0G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 80ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1000V Capacità @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: ITO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile16.020
HERF1007GAHC0G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE, HIGH EFFICIENT Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 80ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V Capacità @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Pacchetto dispositivo fornitore: ITO-220AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile17.880
HERF1008GAHC0G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE, HIGH EFFICIENT Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media Rettificata (Io): 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 80ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1000V Capacità @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Pacchetto dispositivo fornitore: ITO-220AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile19.356
HFA04SD60S Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 4A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 4A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 42ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.474
HFA04SD60STRL Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 4A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 4A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 42ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: D-PAK (TO-252AA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.614
HFA04SD60STRR Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 4A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 4A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 42ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: D-PAK (TO-252AA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile2.700
HFA04TB60S Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: HEXFRED® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 4A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 4A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 42ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.374
HFA04TB60STRL Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: HEXFRED® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 4A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 4A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 42ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.910
HFA04TB60STRR Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: HEXFRED® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 4A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 4A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 42ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.482
HFA06PB120 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 6A TO247AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: HEXFRED® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 6A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 6A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 80ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC Modified Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.824
HFA06TB120 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 6A TO220AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: HEXFRED® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 6A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 6A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 80ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.470
HFA06TB120S Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: HEXFRED® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 6A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 6A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 80ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.284
HFA06TB120STRL Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: HEXFRED® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 6A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 6A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 80ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.832
HFA06TB120STRR Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: HEXFRED® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 6A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 6A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 80ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile6.390
HFA08PB120 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO247AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: HEXFRED® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 95ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC Modified Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.924
HFA08PB60 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 8A TO247AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 55ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC Modified Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile1.939
HFA08SD60S Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 55ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.164
HFA08SD60STRL Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 55ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: D-PAK (TO-252AA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.532
HFA08TB120 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: HEXFRED® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 95ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.436
HFA08TB120S Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: HEXFRED® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 95ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile86
HFA08TB120STRL Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: HEXFRED® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 95ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile362
HFA08TB120STRR Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: HEXFRED® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 95ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.510
HFA08TB60 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: HEXFRED® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 55ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.716
HFA08TB60PBF Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFRED® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 55ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile32.022
HFA08TB60S Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: HEXFRED® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 55ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.658

HERAF803G C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore: ITO-220AC
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile2.088

HERAF804G C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 8A ITO220AC

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore: ITO-220AC
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile6.768

HERAF805G C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore: ITO-220AC
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.294

HERAF806G C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 80ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore: ITO-220AC
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.658

HERAF807G C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 80ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V
Capacità @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore: ITO-220AC
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile6.192

HERAF808G C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 80ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore: ITO-220AC
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile16.020

HERF1007GAHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE, HIGH EFFICIENT

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 10A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 80ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V
Capacità @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Pacchetto dispositivo fornitore: ITO-220AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile17.880

HERF1008GAHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE, HIGH EFFICIENT

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media Rettificata (Io): 10A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 80ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Pacchetto dispositivo fornitore: ITO-220AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile19.356

HFA04SD60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 4A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 4A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 42ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.474

HFA04SD60STRL

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 4A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 4A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 42ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: D-PAK (TO-252AA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.614

HFA04SD60STRR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 4A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 4A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 42ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: D-PAK (TO-252AA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile2.700

HFA04TB60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: HEXFRED®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 4A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 4A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 42ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.374

HFA04TB60STRL

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: HEXFRED®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 4A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 4A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 42ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.910

HFA04TB60STRR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: HEXFRED®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 4A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 4A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 42ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.482

HFA06PB120

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 6A TO247AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: HEXFRED®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 6A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 6A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 80ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC Modified
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.824

HFA06TB120

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 6A TO220AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: HEXFRED®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 6A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 6A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 80ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.470

HFA06TB120S

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: HEXFRED®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 6A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 6A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 80ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.284

HFA06TB120STRL

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: HEXFRED®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 6A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 6A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 80ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.832

HFA06TB120STRR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: HEXFRED®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 6A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 6A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 80ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile6.390

HFA08PB120

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO247AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: HEXFRED®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 95ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC Modified
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.924

HFA08PB60

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 8A TO247AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 55ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC Modified
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile1.939

HFA08SD60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 55ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.164

HFA08SD60STRL

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 55ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: D-PAK (TO-252AA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.532

HFA08TB120

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: HEXFRED®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 95ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.436

HFA08TB120S

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: HEXFRED®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 95ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile86

HFA08TB120STRL

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: HEXFRED®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 95ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile362

HFA08TB120STRR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: HEXFRED®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 95ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.510

HFA08TB60

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: HEXFRED®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 55ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.716

HFA08TB60PBF

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Produttore: Infineon Technologies
Serie: HEXFRED®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 55ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile32.022

HFA08TB60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: HEXFRED®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 55ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.658

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