HERF1008GAHC0G
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| Numero parte | HERF1008GAHC0G |
| PNEDA Part # | HERF1008GAHC0G |
| Descrizione | DIODE, HIGH EFFICIENT |
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 19.356 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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HERF1008GAHC0G Risorse
| Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HERF1008GAHC0G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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HERF1008GAHC0G Specifiche
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1000V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 10A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 5A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 80ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
| Capacità @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 950mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
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