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Renesas Electronics America Inc. Transistor - FET, MOSFET - Array

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CategoriaSemiconduttori / Transistor / Transistor - FET, MOSFET - Array
ProduttoreRenesas Electronics America Inc.
Record 5
Pagina 1/1
Immagine
Numero parte
Produttore
Descrizione
Disponibile
Quantità
Serie
Tipo FET
Funzione FET
Tensione Drain to Source (Vdss)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs (th) (Max) @ Id
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
Potenza - Max
Temperatura di esercizio
Tipo di montaggio
Pacchetto / Custodia
Pacchetto dispositivo fornitore
GWS9293
Renesas Electronics America Inc.
MOSFET 2 N-CH 20V 9.4A 4QFN
2.502
-
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Standard
20V
9.4A (Ta)
17mOhm @ 3A, 4.5V
1.5V @ 1mA
3.5nC @ 4V
400pF @ 10V
3.6W
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
4-VDFN
4-QFN (2x2)
GWS9294
Renesas Electronics America Inc.
MOSFET 2 N-CH 20V 10.1A 4QFN
3.454
-
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Standard
20V
10.1A (Ta)
13mOhm @ 6.5A, 4.5V
1.5V @ 1mA
11nC @ 4V
900pF @ 10V
3.6W
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
4-VDFN
4-QFN (2x2)
KGF16N05D-400
Renesas Electronics America Inc.
MOSFET N-CH 5.5V DUAL 20WLCSP
4.212
-
2 N-Channel (Dual) Common Source
Standard
5.5V
16A (Ta)
0.95mOhm @ 8A, 4.5V
0.9V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
600pF @ 5V
2.5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
20-UFLGA, CSP
20-WLCSP (2.48x1.17)
GWS4621L
Renesas Electronics America Inc.
MOSFET 2N-CH
7.254
-
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Standard
20V
10.1A (Ta)
9.8mOhm @ 3A, 4.5V
1.5V @ 1mA
11nC @ 4V
1125pF @ 10V
3.6W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
4-XFLGA, CSP
4-WLCSP (1.82x1.82)
KGF6N05D-400
Renesas Electronics America Inc.
IC MOSFET N-CH
2.718
-
2 N-Channel (Dual) Common Source
Standard
5.5V
12A (Ta)
3mOhm @ 6A, 4.5V
0.9V @ 250µA
4nC @ 3.5V
630pF @ 5.5V
2.5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
20-UFLGA, CSP
20-WLCSP (2.48x1.17)