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KGF6N05D-400

KGF6N05D-400

Solo per riferimento

Numero parte KGF6N05D-400
PNEDA Part # KGF6N05D-400
Descrizione IC MOSFET N-CH
Produttore Renesas Electronics America Inc.
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Disponibile 2.718
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 13 - mag 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

KGF6N05D-400 Risorse

Brand Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteKGF6N05D-400
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
KGF6N05D-400, KGF6N05D-400 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 448,12 KB)
PDFKGF6N05D-400 Datasheet Copertura
KGF6N05D-400 Datasheet Pagina 2 KGF6N05D-400 Datasheet Pagina 3 KGF6N05D-400 Datasheet Pagina 4 KGF6N05D-400 Datasheet Pagina 5 KGF6N05D-400 Datasheet Pagina 6 KGF6N05D-400 Datasheet Pagina 7 KGF6N05D-400 Datasheet Pagina 8

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KGF6N05D-400 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Common Source
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)5.5V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id0.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4nC @ 3.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds630pF @ 5.5V
Potenza - Max2.5W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia20-UFLGA, CSP
Pacchetto dispositivo fornitore20-WLCSP (2.48x1.17)

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 15V

Potenza - Max

1.9W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 20V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 15V

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A, 4.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

355pF @ 20V

Potenza - Max

2.75W, 2.95W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.3A, 3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.6nC @ 4.5V

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