SIS903DN-T1-GE3
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Numero parte | SIS903DN-T1-GE3 |
PNEDA Part # | SIS903DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212 |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 7.920 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SIS903DN-T1-GE3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SIS903DN-T1-GE3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Datasheet |
SIS903DN-T1-GE3, SIS903DN-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 243,48 KB)
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SIS903DN-T1-GE3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® Gen III |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Funzione FET | Standard |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20.1mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2565pF @ 10V |
Potenza - Max | 2.6W (Ta), 23W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 Dual |
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