DMTH6010LPD-13
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| Numero parte | DMTH6010LPD-13 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | DMTH6010LPD-13 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI | ||||||||||||||||||
| Produttore | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 1.440 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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DMTH6010LPD-13 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMTH6010LPD-13 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
DMTH6010LPD-13, DMTH6010LPD-13 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 315,74 KB)
  
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DMTH6010LPD-13 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40.2nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2615pF @ 30V |
| Potenza - Max | 2.8W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI5060-8 |
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