Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

W9412G6JH-5I

W9412G6JH-5I

Solo per riferimento

Numero parte W9412G6JH-5I
PNEDA Part # W9412G6JH-5I
Descrizione IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.172
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W9412G6JH-5I Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW9412G6JH-5I
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W9412G6JH-5I, W9412G6JH-5I Datasheet (Totale pagine: 52, Dimensioni: 777,52 KB)
PDFW9412G6JH-4 Datasheet Copertura
W9412G6JH-4 Datasheet Pagina 2 W9412G6JH-4 Datasheet Pagina 3 W9412G6JH-4 Datasheet Pagina 4 W9412G6JH-4 Datasheet Pagina 5 W9412G6JH-4 Datasheet Pagina 6 W9412G6JH-4 Datasheet Pagina 7 W9412G6JH-4 Datasheet Pagina 8 W9412G6JH-4 Datasheet Pagina 9 W9412G6JH-4 Datasheet Pagina 10 W9412G6JH-4 Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • W9412G6JH-5I Datasheet
  • where to find W9412G6JH-5I
  • Winbond Electronics

  • Winbond Electronics W9412G6JH-5I
  • W9412G6JH-5I PDF Datasheet
  • W9412G6JH-5I Stock

  • W9412G6JH-5I Pinout
  • Datasheet W9412G6JH-5I
  • W9412G6JH-5I Supplier

  • Winbond Electronics Distributor
  • W9412G6JH-5I Price
  • W9412G6JH-5I Distributor

W9412G6JH-5I Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR
Dimensione della memoria128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso50ns
Tensione - Alimentazione2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore66-TSOP II

I prodotti a cui potresti essere interessato

GD25VQ80CSIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Produttore

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs, 3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

CY62146EV30LL-45ZSXAT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

MT38Q50DEB10DBDXAU.Y74

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

S25FL256SAGNFB003

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, FL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WSON (6x8)

IS43R16800E-5TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

66-TSOP II

Venduto di recente

BTB06-600SWRG

BTB06-600SWRG

STMicroelectronics

TRIAC SENS GATE 600V 6A TO220AB

MAX232EWE+

MAX232EWE+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

SMD050-2

SMD050-2

Littelfuse

PTC RESET FUSE 60V 500MA 2SMD

BZT52C3V9-7-F

BZT52C3V9-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123

PCF8575TS/1,112

PCF8575TS/1,112

NXP

IC I/O EXPANDER I2C 16B 24SSOP

0451004.MR

0451004.MR

Littelfuse

FUSE BRD MNT 4A 125VAC/VDC 2SMD

CY14B256LA-SZ25XIT

CY14B256LA-SZ25XIT

Cypress Semiconductor

IC NVSRAM 256K PARALLEL 32SOIC

MT25QL128ABA1ESE-0SIT

MT25QL128ABA1ESE-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOP2

74279221111

74279221111

Wurth Electronics

FERRITE BEAD 110 OHM 1206 1LN

MC68HC705P6ACP

MC68HC705P6ACP

NXP

IC MCU 8BIT 4.5KB OTP 28DIP

STW14NM50

STW14NM50

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 550V 14A TO-247

CNY17F-2

CNY17F-2

Everlight Electronics Co Ltd

OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 6-DIP