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MT25QL128ABA1ESE-0SIT

MT25QL128ABA1ESE-0SIT MT25QL128ABA1ESE-0SIT

Solo per riferimento

Numero parte MT25QL128ABA1ESE-0SIT
PNEDA Part # MT25QL128ABA1ESE-0SIT
Descrizione IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOP2
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario
1 ---------- $425,5894
50 ---------- $405,6399
100 ---------- $385,6904
200 ---------- $365,7409
400 ---------- $349,1163
500 ---------- $332,4917
Disponibile 13.216
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT25QL128ABA1ESE-0SIT Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT25QL128ABA1ESE-0SIT
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT25QL128ABA1ESE-0SIT, MT25QL128ABA1ESE-0SIT Datasheet (Totale pagine: 92, Dimensioni: 1.225,59 KB)
PDFMT25QL128ABA1ESE-MSIT Datasheet Copertura
MT25QL128ABA1ESE-MSIT Datasheet Pagina 2 MT25QL128ABA1ESE-MSIT Datasheet Pagina 3 MT25QL128ABA1ESE-MSIT Datasheet Pagina 4 MT25QL128ABA1ESE-MSIT Datasheet Pagina 5 MT25QL128ABA1ESE-MSIT Datasheet Pagina 6 MT25QL128ABA1ESE-MSIT Datasheet Pagina 7 MT25QL128ABA1ESE-MSIT Datasheet Pagina 8 MT25QL128ABA1ESE-MSIT Datasheet Pagina 9 MT25QL128ABA1ESE-MSIT Datasheet Pagina 10 MT25QL128ABA1ESE-MSIT Datasheet Pagina 11

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MT25QL128ABA1ESE-0SIT Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria128Mb (16M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8ms, 2.8ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

75MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ms, 5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SO W

BQ2022ADBZR

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

1Kb (256b x 4 pages)

Interfaccia di memoria

Single Wire

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.65V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-20°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

71V67603S166BQ8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-CABGA (13x15)

IS34MW01G164-BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND (SLC)

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

63-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

63-VFBGA (9x11)

CY7C2670KV18-450BZI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II+

Dimensione della memoria

144Mb (4M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

450MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (15x17)

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