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W19B320ATB7H

W19B320ATB7H

Solo per riferimento

Numero parte W19B320ATB7H
PNEDA Part # W19B320ATB7H
Descrizione IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.466
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W19B320ATB7H Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW19B320ATB7H
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W19B320ATB7H, W19B320ATB7H Datasheet (Totale pagine: 53, Dimensioni: 479,43 KB)
PDFW19B320ATT7H Datasheet Copertura
W19B320ATT7H Datasheet Pagina 2 W19B320ATT7H Datasheet Pagina 3 W19B320ATT7H Datasheet Pagina 4 W19B320ATT7H Datasheet Pagina 5 W19B320ATT7H Datasheet Pagina 6 W19B320ATT7H Datasheet Pagina 7 W19B320ATT7H Datasheet Pagina 8 W19B320ATT7H Datasheet Pagina 9 W19B320ATT7H Datasheet Pagina 10 W19B320ATT7H Datasheet Pagina 11

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  • W19B320ATB7H Distributor

W19B320ATB7H Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria32Mb (4M x 8, 2M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-20°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-TFBGA (6x8)

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ON Semiconductor

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

200ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PLCC (14x11.46)

MT53E768M32D4DT-046 WT:E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

24Gb (768M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

2.133GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

0.6V, 1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

LE2416RLBXA-SH

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

6-WLCSP (1.2x0.80)

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

85ns

Tempo di accesso

85ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-EDIP

AT25640N-10SI-1.8

Microchip Technology

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Microchip Technology

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

3MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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