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MT53E768M32D4DT-046 WT:E

MT53E768M32D4DT-046 WT:E

Solo per riferimento

Numero parte MT53E768M32D4DT-046 WT:E
PNEDA Part # MT53E768M32D4DT-046-WT-E
Descrizione IC DRAM LPDDR4 FBGA
Produttore Micron Technology Inc.
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Disponibile 6.660
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT53E768M32D4DT-046 WT:E Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT53E768M32D4DT-046 WT:E
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria

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MT53E768M32D4DT-046 WT:E Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q100
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria24Gb (768M x 32)
Interfaccia di memoria-
Frequenza di clock2.133GHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione0.6V, 1.1V
Temperatura di esercizio-30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

512Mb (16M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

86-TSOP II

70V631S12PRFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

4.5Mb (256K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

3.15V ~ 3.45V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

128-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

128-TQFP (14x20)

MT29F1G16ABBEAH4-IT:E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

63-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

63-VFBGA

MT53B512M32D2NP-062 AAT:C

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

16Gb (512M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1600MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

200-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

200-WFBGA (10x14.5)

EDW4032BABG-70-F-R TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

RAM

Tecnologia

SGRAM - GDDR5

Dimensione della memoria

4Gb (128M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1.75GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.31V ~ 1.65V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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