VS-HFA04TB60PBF
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| Numero parte | VS-HFA04TB60PBF |
| PNEDA Part # | VS-HFA04TB60PBF |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 18.828 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 28 - lug 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-HFA04TB60PBF Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-HFA04TB60PBF |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
VS-HFA04TB60PBF, VS-HFA04TB60PBF Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 136,78 KB)
  
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VS-HFA04TB60PBF Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | HEXFRED® |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 4A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 4A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 42ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 500mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 30V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 80V Corrente - Media Rettificata (Io) 35A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 840mV @ 35A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1.5mA @ 20V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AA, DO-4, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-4 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 480mV @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 30V Capacità @ Vr, F 90pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-128 Pacchetto dispositivo fornitore M-FLAT (2.4x3.8) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1600V Corrente - Media Rettificata (Io) 89A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 20mA @ 1600V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore BG-PB20-1 Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 135°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 15V Corrente - Media Rettificata (Io) 19A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 360mV @ 19A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 10.5mA @ 15V Capacità @ Vr, F 2000pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-263AB (D²PAK) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 125°C |
