MBR3580R
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| Numero parte | MBR3580R |
| PNEDA Part # | MBR3580R |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY REV 80V DO4 |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.716 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida) |
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MBR3580R Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MBR3580R |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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MBR3580R Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Schottky, Reverse Polarity |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 80V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 35A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 35A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1.5mA @ 20V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-4 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 100mA Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 25nA @ 175V Capacità @ Vr, F 6pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione 175°C (Max) |
