VS-8EWS10STRR-M3
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| Numero parte | VS-8EWS10STRR-M3 |
| PNEDA Part # | VS-8EWS10STRR-M3 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.318 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-8EWS10STRR-M3 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-8EWS10STRR-M3 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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VS-8EWS10STRR-M3 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1000V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 8A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 1000V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252AA) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Semtech Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 120A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.35V @ 100A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 12µA @ 100V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Stud Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 2.1V @ 8A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 600V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/682 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 45V Corrente - Media Rettificata (Io) 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 860mV @ 30A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 45V Capacità @ Vr, F 800pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 3-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore U3 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 45V Corrente - Media Rettificata (Io) 240A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 690mV @ 240A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 20mA @ 45V Capacità @ Vr, F 10300pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia D-67 HALF-PAK Pacchetto dispositivo fornitore HALF-PAK Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 30mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 15mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 200nA @ 60V Capacità @ Vr, F 1.6pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Pacchetto dispositivo fornitore SOD-80 MiniMELF Temperatura di esercizio - Giunzione 125°C (Max) |
