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VQ1006P-E3

VQ1006P-E3

Solo per riferimento

Numero parte VQ1006P-E3
PNEDA Part # VQ1006P-E3
Descrizione MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.768
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VQ1006P-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVQ1006P-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
VQ1006P-E3, VQ1006P-E3 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 61,05 KB)
PDFVQ1006P-E3 Datasheet Copertura
VQ1006P-E3 Datasheet Pagina 2 VQ1006P-E3 Datasheet Pagina 3 VQ1006P-E3 Datasheet Pagina 4 VQ1006P-E3 Datasheet Pagina 5

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VQ1006P-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Tipo FET4 N-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)90V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C400mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds60pF @ 25V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore14-DIP

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 6.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 16V

Potenza - Max

750mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

SQ4920EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1465pF @ 15V

Potenza - Max

4.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

BSL314PEL6327HTSA1

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 6.3µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

294pF @ 15V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TSOP-6-6

NVMFD5875NLWFT3G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 25V

Potenza - Max

3.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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TSM9926DCS RLG

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

562pF @ 8V

Potenza - Max

1.6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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