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TSM13N50ACI C0G

TSM13N50ACI C0G

Solo per riferimento

Numero parte TSM13N50ACI C0G
PNEDA Part # TSM13N50ACI-C0G
Descrizione MOSFET N-CH 500V 13A ITO220
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.920
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 2 - mag 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

TSM13N50ACI C0G Risorse

Brand Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteTSM13N50ACI C0G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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TSM13N50ACI C0G Specifiche

ProduttoreTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C13A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs480mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1965pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)52W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreITO-220AB
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

108nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 25V

Funzione FET

Temperature Sensing Diode

Dissipazione di potenza (max)

272W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-426

Pacchetto / Custodia

TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB

FDB0260N1007L

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 27A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

118nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8545pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.8W (Ta), 250W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263-7

Pacchetto / Custodia

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

MCU06N40-TP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

400V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

462pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

45W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RJK0355DSP-00#J0

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.1mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

860pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.8W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRLC8256ED

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

Venduto di recente

AD835ARZ

AD835ARZ

Analog Devices

IC MULTIPLIER 4-QUADRANT 8-SOIC

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Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

MT41K256M16TW-093:P

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Micron Technology Inc.

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

ATMEGA128-16AU

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Microchip Technology

IC MCU 8BIT 128KB FLASH 64TQFP

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Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.6-5V 8A

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFS

XC7VX330T-2FFG1761I

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Xilinx

IC FPGA 700 I/O 1761FCBGA

FDN360P

FDN360P

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3

HCNR201-000E

HCNR201-000E

Broadcom

OPTOISO 5KV LINEAR PHVOLT 8DIP

FDS9431A

FDS9431A

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC

VESD05A1B-02V-G-08

VESD05A1B-02V-G-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 5V 11V SOD523

EPM7064STC44-10N

EPM7064STC44-10N

Intel

IC CPLD 64MC 10NS 44TQFP