Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

TC58CVG2S0HQAIE

TC58CVG2S0HQAIE

Solo per riferimento

Numero parte TC58CVG2S0HQAIE
PNEDA Part # TC58CVG2S0HQAIE
Descrizione IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP
Produttore Toshiba Memory America, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.928
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

TC58CVG2S0HQAIE Risorse

Brand Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteTC58CVG2S0HQAIE
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
TC58CVG2S0HQAIE, TC58CVG2S0HQAIE Datasheet (Totale pagine: 42, Dimensioni: 1.628,74 KB)
PDFTC58CVG2S0HQAIE Datasheet Copertura
TC58CVG2S0HQAIE Datasheet Pagina 2 TC58CVG2S0HQAIE Datasheet Pagina 3 TC58CVG2S0HQAIE Datasheet Pagina 4 TC58CVG2S0HQAIE Datasheet Pagina 5 TC58CVG2S0HQAIE Datasheet Pagina 6 TC58CVG2S0HQAIE Datasheet Pagina 7 TC58CVG2S0HQAIE Datasheet Pagina 8 TC58CVG2S0HQAIE Datasheet Pagina 9 TC58CVG2S0HQAIE Datasheet Pagina 10 TC58CVG2S0HQAIE Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • TC58CVG2S0HQAIE Datasheet
  • where to find TC58CVG2S0HQAIE
  • Toshiba Memory America, Inc.

  • Toshiba Memory America, Inc. TC58CVG2S0HQAIE
  • TC58CVG2S0HQAIE PDF Datasheet
  • TC58CVG2S0HQAIE Stock

  • TC58CVG2S0HQAIE Pinout
  • Datasheet TC58CVG2S0HQAIE
  • TC58CVG2S0HQAIE Supplier

  • Toshiba Memory America, Inc. Distributor
  • TC58CVG2S0HQAIE Price
  • TC58CVG2S0HQAIE Distributor

TC58CVG2S0HQAIE Specifiche

ProduttoreToshiba Memory America, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NAND (SLC)
Dimensione della memoria4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI - Quad I/O
Frequenza di clock104MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso280µs
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore16-SOP

I prodotti a cui potresti essere interessato

7025S17PF8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

128Kb (8K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

17ns

Tempo di accesso

17ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

CY7C1418BV18-250BZXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II

Dimensione della memoria

36Mb (2M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (15x17)

70P254L55BYGI8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

128Kb (8K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

81-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

81-CABGA (5x5)

MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH, RAM

Tecnologia

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)(NAND), 8Gb (512M x 16)(LPDDR2)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

533MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

162-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

162-VFBGA (10.5x8)

W632GG8KB15I

Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

667MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

78-WBGA (10.5x8)

Venduto di recente

LSXH4L

LSXH4L

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SWITCH SNAP ACTION DPDT 10A 120V

AS5145B-HSSM

AS5145B-HSSM

ams

ROTARY ENCODER MAGNETIC 1024PPR

74279221111

74279221111

Wurth Electronics

FERRITE BEAD 110 OHM 1206 1LN

DF10S-T

DF10S-T

Diodes Incorporated

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DF-S

BA30BC0WFP-E2

BA30BC0WFP-E2

Rohm Semiconductor

IC REG LINEAR 3V 1A TO252-5

PC28F00AP30EFA

PC28F00AP30EFA

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA

MC33269DTRK-3.3G

MC33269DTRK-3.3G

ON Semiconductor

IC REG LINEAR 3.3V 800MA DPAK

MAX3078EESA+T

MAX3078EESA+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

MIC47100YMME

MIC47100YMME

Microchip Technology

IC REG LINEAR POS ADJ 1A 8MSOP

AT89C51-24AI

AT89C51-24AI

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 4KB FLASH 44TQFP

NM93CS46M8

NM93CS46M8

ON Semiconductor

IC EEPROM 1K SPI 1MHZ 8SO

ABM8-166-114.285MHZ-T2

ABM8-166-114.285MHZ-T2

Abracon

CRYSTAL 114.2850MHZ 18PF SMD