TC58CVG2S0HQAIE Datasheet
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Produttore Toshiba Memory America, Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND (SLC) Dimensione della memoria 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O Frequenza di clock 104MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 280µs Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 16-SOP |
Produttore Toshiba Memory America, Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND (SLC) Dimensione della memoria 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O Frequenza di clock 104MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 280µs Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-WSON (6x8) |
