STP200NF04
Solo per riferimento
| Numero parte | STP200NF04 |
| PNEDA Part # | STP200NF04 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 20.358 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
STP200NF04 Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | STP200NF04 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- STP200NF04 Datasheet
- where to find STP200NF04
- STMicroelectronics
- STMicroelectronics STP200NF04
- STP200NF04 PDF Datasheet
- STP200NF04 Stock
- STP200NF04 Pinout
- Datasheet STP200NF04
- STP200NF04 Supplier
- STMicroelectronics Distributor
- STP200NF04 Price
- STP200NF04 Distributor
STP200NF04 Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | STripFET™ II |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 90A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 210nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5100pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 310W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.7mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 5V Vgs (massimo) 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSVI Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 36A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 18A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4300pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 42W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 123A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3183pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 99W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-262 Pacchetto / Custodia TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Produttore Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 780mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2525pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 403W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D3 [S] Pacchetto / Custodia TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Produttore IXYS Serie PolarHV™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5050pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 540W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PLUS220 Pacchetto / Custodia TO-220-3, Short Tab |
