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IXTV30N60P

IXTV30N60P

Solo per riferimento

Numero parte IXTV30N60P
PNEDA Part # IXTV30N60P
Descrizione MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.196
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 15 - lug 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXTV30N60P Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXTV30N60P
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IXTV30N60P, IXTV30N60P Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 352,2 KB)
PDFIXTV30N60PS Datasheet Copertura
IXTV30N60PS Datasheet Pagina 2 IXTV30N60PS Datasheet Pagina 3 IXTV30N60PS Datasheet Pagina 4 IXTV30N60PS Datasheet Pagina 5 IXTV30N60PS Datasheet Pagina 6

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IXTV30N60P Specifiche

ProduttoreIXYS
SeriePolarHV™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs82nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5050pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)540W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePLUS220
Pacchetto / CustodiaTO-220-3, Short Tab

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tj)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

111nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5512pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

263W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

540mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta), 50A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

3.8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 14.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

823pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.3W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount, Wettable Flank

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 5V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1604pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

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1.8V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.67nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

69pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

360mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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