STGWA75M65DF2
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| Numero parte | STGWA75M65DF2 |
| PNEDA Part # | STGWA75M65DF2 |
| Descrizione | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 15.228 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida) |
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STGWA75M65DF2 Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STGWA75M65DF2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
STGWA75M65DF2, STGWA75M65DF2 Datasheet
(Totale pagine: 18, Dimensioni: 1.019,14 KB)
  
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STGWA75M65DF2 Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | M |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 120A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 225A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Potenza - Max | 468W |
| Switching Energy | 690µJ (on), 2.54mJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 225nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 47ns/125ns |
| Condizione di test | 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 165ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 Long Leads |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 390V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 20A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 4.5V, 20A Potenza - Max 150W Switching Energy - Tipo di ingresso Logic Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C -/5µs Condizione di test 300V, 9A, 1kOhm, 5V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A Potenza - Max - Switching Energy - Tipo di ingresso Standard Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C - Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Die |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 134A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 260A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 70A Potenza - Max 595W Switching Energy 1.51mJ (on), 1.46mJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 305nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 19ns/170ns Condizione di test 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo IGBT Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 60A Potenza - Max 428W Switching Energy 920µJ (on), 530µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 95nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 42ns/142ns Condizione di test 400V, 60A, 7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 205ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 |
