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NGTD30T120F2SWK

NGTD30T120F2SWK

Solo per riferimento

Numero parte NGTD30T120F2SWK
PNEDA Part # NGTD30T120F2SWK
Descrizione IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.194
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NGTD30T120F2SWK Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNGTD30T120F2SWK
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
NGTD30T120F2SWK, NGTD30T120F2SWK Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 348,22 KB)
PDFNGTD30T120F2SWK Datasheet Copertura
NGTD30T120F2SWK Datasheet Pagina 2 NGTD30T120F2SWK Datasheet Pagina 3

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NGTD30T120F2SWK Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 40A
Potenza - Max-
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge-
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test-
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDie
Pacchetto dispositivo fornitoreDie

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2500V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

32A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 19A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

15mJ (on), 30mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

142nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

1500V, 19A, 47Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

i4-Pac™-5 (3 Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS i4-PAC™

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 35A

Potenza - Max

350W

Switching Energy

3mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

170nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

50ns/150ns

Condizione di test

960V, 35A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

60ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264 (IXGK)

Produttore

IXYS

Serie

XPT™, GenX4™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

38A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

70A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 12A

Potenza - Max

160W

Switching Energy

440µJ (on), 220µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

34nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

13ns/158ns

Condizione di test

400V, 12A, 20Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

43ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

HGT1S7N60C3DS

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

14A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 7A

Potenza - Max

60W

Switching Energy

165µJ (on), 600µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

23nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

480V, 7A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

37ns

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB

IRG4BC15MDPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

14A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

28A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 8.6A

Potenza - Max

49W

Switching Energy

320µJ (on), 1.93mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

46nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

21ns/540ns

Condizione di test

480V, 8.6A, 75Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

28ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Venduto di recente

ISL8206MIRZ

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Renesas Electronics America Inc.

DC DC CONVERTER 0.6-6V 6A

PI6C49X0204CWIE

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Diodes Incorporated

IC CLOCK BUFFER 1:4 200MHZ 8SOIC

74FCT3807SOGI

74FCT3807SOGI

IDT, Integrated Device Technology

IC CLK BUFFER 1:10 100MHZ 20SOIC

1N5335BRLG

1N5335BRLG

ON Semiconductor

DIODE ZENER 3.9V 5W AXIAL

3224W-1-105E

3224W-1-105E

Bourns

TRIMMER 1M OHM 0.25W J LEAD TOP

LT3480EDD#TRPBF

LT3480EDD#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJUSTABLE 2A 10DFN

MC68HC908GZ60CFA

MC68HC908GZ60CFA

NXP

IC MCU 8BIT 60KB FLASH 48LQFP

SI4836DY-T1-E3

SI4836DY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC

S2G-13-F

S2G-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 400V 1.5A SMB

LH1511BAB

LH1511BAB

Vishay Semiconductor Opto Division

SSR RELAY SPST-NC 200MA 0-200V

IRF7470PBF

IRF7470PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC

NTR4502PT1G

NTR4502PT1G

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23