STF24N60M6
Solo per riferimento
| Numero parte | STF24N60M6 |
| PNEDA Part # | STF24N60M6 |
| Descrizione | NCHANNEL 600 V 105 MOHM TYP. 22 |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.804 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 9 - giu 14 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
STF24N60M6 Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | STF24N60M6 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- STF24N60M6 Datasheet
- where to find STF24N60M6
- STMicroelectronics
- STMicroelectronics STF24N60M6
- STF24N60M6 PDF Datasheet
- STF24N60M6 Stock
- STF24N60M6 Pinout
- Datasheet STF24N60M6
- STF24N60M6 Supplier
- STMicroelectronics Distributor
- STF24N60M6 Price
- STF24N60M6 Distributor
STF24N60M6 Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | MDmesh™ M6 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FP |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 Full Pack |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 70µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5200pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 115W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 850mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 125pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SuperSOT-3 Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.95V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 103.5nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6645pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 272W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia SC-100, SOT-669 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 64.7W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DPAK Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
