Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

PSMN1R0-30YLC,115

PSMN1R0-30YLC,115

Solo per riferimento

Numero parte PSMN1R0-30YLC,115
PNEDA Part # PSMN1R0-30YLC-115
Descrizione MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 118.752
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PSMN1R0-30YLC Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePSMN1R0-30YLC,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
PSMN1R0-30YLC, PSMN1R0-30YLC Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 748,38 KB)
PDFPSMN1R0-30YLC Datasheet Copertura
PSMN1R0-30YLC Datasheet Pagina 2 PSMN1R0-30YLC Datasheet Pagina 3 PSMN1R0-30YLC Datasheet Pagina 4 PSMN1R0-30YLC Datasheet Pagina 5 PSMN1R0-30YLC Datasheet Pagina 6 PSMN1R0-30YLC Datasheet Pagina 7 PSMN1R0-30YLC Datasheet Pagina 8 PSMN1R0-30YLC Datasheet Pagina 9 PSMN1R0-30YLC Datasheet Pagina 10 PSMN1R0-30YLC Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • PSMN1R0-30YLC,115 Datasheet
  • where to find PSMN1R0-30YLC,115
  • Nexperia

  • Nexperia PSMN1R0-30YLC,115
  • PSMN1R0-30YLC,115 PDF Datasheet
  • PSMN1R0-30YLC,115 Stock

  • PSMN1R0-30YLC,115 Pinout
  • Datasheet PSMN1R0-30YLC,115
  • PSMN1R0-30YLC,115 Supplier

  • Nexperia Distributor
  • PSMN1R0-30YLC,115 Price
  • PSMN1R0-30YLC,115 Distributor

PSMN1R0-30YLC Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.15mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.95V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs103.5nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6645pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)272W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / CustodiaSC-100, SOT-669

I prodotti a cui potresti essere interessato

NTMFS5C604NLT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

38A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8900pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.9W (Ta), 200W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN, 5 Leads

BUK9607-30B,118

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 5V

Vgs (massimo)

±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3373pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

157W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

TSM9N90ECI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2470pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

89W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

ITO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

26A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

320mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

113nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3290pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

860W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

2N7002TC

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

115mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

330mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Venduto di recente

ACPL-M43T-500E

ACPL-M43T-500E

Broadcom

OPTOISOLATOR 4KV TRANSISTOR 5-SO

DS2401P+T&R

DS2401P+T&R

Maxim Integrated

IC SILICON SERIAL NUMBER 6TSOC

LTST-C171GKT

LTST-C171GKT

Lite-On Inc.

LED GREEN CLEAR CHIP SMD

MMA8451QR1

MMA8451QR1

NXP

ACCELEROMETER 2-8G I2C 16QFN

STW14NM50

STW14NM50

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 550V 14A TO-247

PM-L54P

PM-L54P

Panasonic Industrial Automation Sales

SENSOR OPT SLOT PNP MODULE

CK45-R3AD222K-NRA

CK45-R3AD222K-NRA

TDK

CAP CER 2200PF 1KV RADIAL

LTC4417IUF#TRPBF

LTC4417IUF#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC OR CTRLR SRC SELECT 24QFN

ESD9L3.3ST5G

ESD9L3.3ST5G

ON Semiconductor

TVS DIODE 3.3V 9V SOD923

MT41J512M8RH-093:E

MT41J512M8RH-093:E

Micron Technology Inc.

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

M30624FGPGP#U3C

M30624FGPGP#U3C

Renesas Electronics America

IC MCU 16BIT 256KB FLASH 100QFP

4N32SM

4N32SM

ON Semiconductor

OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD