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SSM6P35AFE,LF

SSM6P35AFE,LF

Solo per riferimento

Numero parte SSM6P35AFE,LF
PNEDA Part # SSM6P35AFE-LF
Descrizione SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 81.318
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SSM6P35AFE Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSSM6P35AFE,LF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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SSM6P35AFE Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
SerieU-MOSVII
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate, 1.2V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds42pF @ 10V
Potenza - Max150mW (Ta)
Temperatura di esercizio150°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreES6

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

21A (Ta), 111A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 98µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2546pF @ 25V

Potenza - Max

3.5W (Ta), 125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

AO4892

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

415pF @ 50V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

SI6913DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 5.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 400µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

830mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

ECH8601M-C-TL-H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

24V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

8-ECH

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchPLUS

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

65V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44.6nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3643pF @ 25V

Potenza - Max

5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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