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ECH8601M-C-TL-H

ECH8601M-C-TL-H

Solo per riferimento

Numero parte ECH8601M-C-TL-H
PNEDA Part # ECH8601M-C-TL-H
Descrizione MOSFET 2N-CH 24V 8A ECH8
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.940
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ECH8601M-C-TL-H Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteECH8601M-C-TL-H
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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ECH8601M-C-TL-H Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzione FETLogic Level Gate, 2.5V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss)24V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.5W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore8-ECH

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 15V

Potenza - Max

1.9W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (3x2)

PMCXB1000UEZ

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel Complementary

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

590mA (Ta), 410mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

670mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V

Potenza - Max

285mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-XFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

DFN1010B-6

DMT3020LSD-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

393pF @ 15V

Potenza - Max

1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

MCH6663-TL-W

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate, 4V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.8A, 1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

188mOhm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

88pF @ 10V

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-88FL/MCPH6

NTMD6P02R2G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 6.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 16V

Potenza - Max

750mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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