SQJ962EP-T1-GE3
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Numero parte | SQJ962EP-T1-GE3 |
PNEDA Part # | SQJ962EP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 3.492 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SQJ962EP-T1-GE3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SQJ962EP-T1-GE3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Datasheet |
SQJ962EP-T1-GE3, SQJ962EP-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 118,54 KB)
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SQJ962EP-T1-GE3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Funzione FET | Logic Level Gate |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 25V |
Potenza - Max | 25W |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | PowerPAK® SO-8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual |
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