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SQJ500AEP-T1_GE3

SQJ500AEP-T1_GE3

Solo per riferimento

Numero parte SQJ500AEP-T1_GE3
PNEDA Part # SQJ500AEP-T1_GE3
Descrizione MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 24.096
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SQJ500AEP-T1_GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSQJ500AEP-T1_GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SQJ500AEP-T1_GE3, SQJ500AEP-T1_GE3 Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 268,47 KB)
PDFSQJ500AEP-T1_GE3 Datasheet Copertura
SQJ500AEP-T1_GE3 Datasheet Pagina 2 SQJ500AEP-T1_GE3 Datasheet Pagina 3 SQJ500AEP-T1_GE3 Datasheet Pagina 4 SQJ500AEP-T1_GE3 Datasheet Pagina 5 SQJ500AEP-T1_GE3 Datasheet Pagina 6 SQJ500AEP-T1_GE3 Datasheet Pagina 7 SQJ500AEP-T1_GE3 Datasheet Pagina 8 SQJ500AEP-T1_GE3 Datasheet Pagina 9 SQJ500AEP-T1_GE3 Datasheet Pagina 10 SQJ500AEP-T1_GE3 Datasheet Pagina 11

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SQJ500AEP-T1_GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FET-
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38.1nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1850pF @ 20V
Potenza - Max48W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaPowerPAK® SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK® SO-8 Dual

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

12.2pF @ 3V

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

168A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 20A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.1V @ 50mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9500pF @ 800V

Potenza - Max

568W

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

SI1033X-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

145mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

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2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

121mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

564pF @ 25V

Potenza - Max

32W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 650mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.07nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

161pF @ 15V

Potenza - Max

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