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DMN3270UVT-7

DMN3270UVT-7

Solo per riferimento

Numero parte DMN3270UVT-7
PNEDA Part # DMN3270UVT-7
Descrizione MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.992
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN3270UVT-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN3270UVT-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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DMN3270UVT-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs270mOhm @ 650mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.07nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds161pF @ 15V
Potenza - Max760mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitoreTSOT-26

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

320mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Potenza - Max

420mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSSOP

DMP2100UFU-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

906pF @ 10V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-UFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

U-DFN2030-6 (Type B)

APTM10HM19FT3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

70A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5100pF @ 25V

Potenza - Max

208W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchPLUS

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

65V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44.6nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3643pF @ 25V

Potenza - Max

5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Infineon Technologies

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 25V

Potenza - Max

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